GA0603H333JXXAC31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生產的碳化硅 (SiC) MOSFET 功率晶體管。該器件采用先進的 SiC 技術制�,具有高效率、高頻工作能力和耐高壓特�,適用于工業(yè)電源、電機驅�、光伏逆變器和不間斷電� (UPS) 等應用領��
這款功率晶體管通過�(yōu)化設�,在開關損耗和導通電阻方面表�(xiàn)�(yōu)異,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低散熱需�。其封裝形式� D2PAK-7L,支持表面貼�,便于自動化生產�
型號:GA0603H333JXXAC31G
類型:SiC MOSFET
額定電壓�1200V
額定電流�30A
導通電阻:33mΩ(典型值)
柵極電荷�45nC(典型值)
最大工作結溫:175°C
封裝形式:D2PAK-7L
GA0603H333JXXAC31G 的主要特性包括:
1. 高壓能力:額定電壓為 1200V,適用于高壓應用�(huán)��
2. 低導通電阻:在高電流條件下提供低功耗性能,典型值為 33mΩ�
3. 快速開關速度:極低的柵極電荷�45nC 典型值)使得開關頻率可以達到更高水平�
4. 耐高溫:最大工作結溫可� 175°C,提升了器件的可靠性和適應性�
5. 小型化封裝:采用 D2PAK-7L 表面貼裝封裝,節(jié)� PCB 空間,適合高密度設計�
6. 高可靠性:基于碳化硅技�,具備出色的抗干擾和長期�(wěn)定性�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 工業(yè)電源轉換器:� AC-DC � DC-DC 變換��
2. 電機驅動器:用于高效控制永磁同步電機和感應電��
3. 光伏逆變器:提高能量轉換效率和功率密��
4. 不間斷電� (UPS):減少能量損�,增強系�(tǒng)可靠��
5. 電動汽車充電設備:實�(xiàn)快速充電和高效率運��
6. 其他高頻、高壓電力電子應用:如無線充電、儲能系�(tǒng)等�
GA0603H333JXXBC31G