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GA0603H392JBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 11:20:00 查看 閱讀:11

GA0603H392JBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進(jìn)的制造工藝以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景中,具有出色的效率和可靠性。
  此芯片設(shè)計(jì)旨在滿足對功耗敏感的應(yīng)用需求,并通過優(yōu)化柵極電荷和導(dǎo)通電阻參數(shù),為用戶提供高效的電力傳輸解決方案。

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-247
  VDS(漏源極電壓):650V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):39mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):31A
  Qg(柵極電荷):75nC
  VGS(th)(柵極閾值電壓):4V
  fT(特征頻率):2.2MHz
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0603H392JBBAR31G 的主要特點(diǎn)是其卓越的電氣性能與堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。以下詳細(xì)描述其特性:
  1. 高效的導(dǎo)通電阻:39mΩ 的超低 RDS(on) 參數(shù)確保了較低的傳導(dǎo)損耗,從而提升了整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)能力:由于具備較低的柵極電荷(75nC),該器件能夠?qū)崿F(xiàn)高頻工作,減少磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本。
  3. 高耐壓能力:650V 的 VDS 提供了足夠的電壓裕度,適用于多種高壓應(yīng)用環(huán)境。
  4. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達(dá) 31A,支持大功率負(fù)載操作。
  5. 寬溫度范圍:能夠在 -55℃ 至 +175℃ 的結(jié)溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)各種極端條件。
  6. 穩(wěn)定性強(qiáng):經(jīng)過嚴(yán)格篩選及測試,確保長期使用中的可靠性和穩(wěn)定性。

應(yīng)用

該器件適合用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):如 AC-DC 適配器、充電器等。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):可用于無刷直流電機(jī)(BLDC)、步進(jìn)電機(jī)等的控制電路。
  3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:在汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。
  4. 逆變器:為太陽能發(fā)電、不間斷電源(UPS)等提供核心功率處理功能。
  5. 其他高功率密度設(shè)備:例如電動(dòng)工具、家電產(chǎn)品中的功率管理模塊。

替代型號

GA0603H392JBBAR31A, IRFP460, FQP18N65C

ga0603h392jbbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容3900 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-