時(shí)間：2025/6/5 11:20:00
閱讀：11
GA0603H392JBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的制造工藝以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景中，具有出色的效率和可靠性。
此芯片設(shè)計(jì)旨在滿足對功耗敏感的應(yīng)用需求，并通過優(yōu)化柵極電荷和導(dǎo)通電阻參數(shù)，為用戶提供高效的電力傳輸解決方案。
類型：MOSFET
封裝：TO-247
VDS（漏源極電壓）：650V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：39mΩ
ID（連續(xù)漏極電流）：31A
Qg（柵極電荷）：75nC
VGS(th)（柵極閾值電壓）：4V
fT（特征頻率）：2.2MHz
結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
GA0603H392JBBAR31G 的主要特點(diǎn)是其卓越的電氣性能與堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。以下詳細(xì)描述其特性：
1. 高效的導(dǎo)通電阻：39mΩ 的超低 RDS(on) 參數(shù)確保了較低的傳導(dǎo)損耗，從而提升了整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力：由于具備較低的柵極電荷（75nC），該器件能夠?qū)崿F(xiàn)高頻工作，減少磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本。
3. 高耐壓能力：650V 的 VDS 提供了足夠的電壓裕度，適用于多種高壓應(yīng)用環(huán)境。
4. 大電流承載能力：連續(xù)漏極電流高達(dá) 31A，支持大功率負(fù)載操作。
5. 寬溫度范圍：能夠在 -55℃ 至 +175℃ 的結(jié)溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)各種極端條件。
6. 穩(wěn)定性強(qiáng)：經(jīng)過嚴(yán)格篩選及測試，確保長期使用中的可靠性和穩(wěn)定性。
該器件適合用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用場景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）：如 AC-DC 適配器、充電器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：可用于無刷直流電機(jī)（BLDC）、步進(jìn)電機(jī)等的控制電路。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。
4. 逆變器：為太陽能發(fā)電、不間斷電源（UPS）等提供核心功率處理功能。
5. 其他高功率密度設(shè)備：例如電動(dòng)工具、家電產(chǎn)品中的功率管理模塊。
GA0603H392JBBAR31A, IRFP460, FQP18N65C
