GA0603H562KBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設(shè)�。該器件主要應用于高效率、高頻開�(guān)電源和電機驅(qū)動等場景�,具有低導通電阻、快速開�(guān)特性和高可靠�。其封裝形式� TO-263,能夠提供出色的散熱性能以滿足高功率應用需求�
該芯片通過�(yōu)化溝道結(jié)�(gòu)和柵極設(shè)�,顯著降低了導通損耗和開關(guān)損耗,從而提升了整體系統(tǒng)效率。此�,其具備良好的短路耐受能力和抗雪崩能力,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
型號:GA0603H562KBAAR31G
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):34A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,@Vgs=10V�
總柵極電荷(Qg):78nC
輸入電容(Ciss):2900pF
輸出電容(Coss):68pF
反向傳輸電容(Crss):95pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導通電� Rds(on),可有效減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特�,支持高頻應�,有助于減小磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本�
3. 高度�(wěn)定的動態(tài)特�,確保在不同負載條件下的可靠運行�
4. 短路耐受時間�,在過載或異常情況下能夠保護電路�
5. 采用符合 RoHS 標準的環(huán)保材�,滿足國際法�(guī)要求�
6. 具備�(yōu)異的熱性能,適合高功率密度的設(shè)計需��
7. 可靠的抗雪崩能力,增強了器件在瞬�(tài)情況下的安全��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
3. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換開�(guān)�
5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元�
7. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機�(qū)動及電源管理組件�
IRFZ44N
STP36NF06
FDP16N60C
IXYS20N60C3
AOT290L-24E