時間：2025/6/9 12:19:20
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GA0603H562KBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進的制造工藝設(shè)計。該器件主要應用于高效率、高頻開關(guān)電源和電機驅(qū)動等場景中，具有低導通電阻、快速開關(guān)特性和高可靠性。其封裝形式為 TO-263，能夠提供出色的散熱性能以滿足高功率應用需求。
該芯片通過優(yōu)化溝道結(jié)構(gòu)和柵極設(shè)計，顯著降低了導通損耗和開關(guān)損耗，從而提升了整體系統(tǒng)效率。此外，其具備良好的短路耐受能力和抗雪崩能力，確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行。
型號：GA0603H562KBAAR31G
類型：N溝道 MOSFET
最大漏源電壓（Vds）：60V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：34A
導通電阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
總柵極電荷（Qg）：78nC
輸入電容（Ciss）：2900pF
輸出電容（Coss）：68pF
反向傳輸電容（Crss）：95pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 極低的導通電阻 Rds(on)，可有效減少導通損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)特性，支持高頻應用，有助于減小磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本。
3. 高度穩(wěn)定的動態(tài)特性，確保在不同負載條件下的可靠運行。
4. 短路耐受時間長，在過載或異常情況下能夠保護電路。
5. 采用符合 RoHS 標準的環(huán)保材料，滿足國際法規(guī)要求。
6. 具備優(yōu)異的熱性能，適合高功率密度的設(shè)計需求。
7. 可靠的抗雪崩能力，增強了器件在瞬態(tài)情況下的安全性。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 電機驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
3. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件。
4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的負載切換開關(guān)。
5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元。
7. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機驅(qū)動及電源管理組件。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP16N60C
IXYS20N60C3
AOT290L-24E
