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GA0603H562KBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 12:19:20 查看 閱讀�3

GA0603H562KBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設(shè)�。該器件主要應用于高效率、高頻開�(guān)電源和電機驅(qū)動等場景�,具有低導通電阻、快速開�(guān)特性和高可靠�。其封裝形式� TO-263,能夠提供出色的散熱性能以滿足高功率應用需求�
  該芯片通過�(yōu)化溝道結(jié)�(gòu)和柵極設(shè)�,顯著降低了導通損耗和開關(guān)損耗,從而提升了整體系統(tǒng)效率。此�,其具備良好的短路耐受能力和抗雪崩能力,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運��

參數(shù)

型號:GA0603H562KBAAR31G
  類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):34A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,@Vgs=10V�
  總柵極電荷(Qg):78nC
  輸入電容(Ciss):2900pF
  輸出電容(Coss):68pF
  反向傳輸電容(Crss):95pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

1. 極低的導通電� Rds(on),可有效減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)特�,支持高頻應�,有助于減小磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本�
  3. 高度�(wěn)定的動態(tài)特�,確保在不同負載條件下的可靠運行�
  4. 短路耐受時間�,在過載或異常情況下能夠保護電路�
  5. 采用符合 RoHS 標準的環(huán)保材�,滿足國際法�(guī)要求�
  6. 具備�(yōu)異的熱性能,適合高功率密度的設(shè)計需��
  7. 可靠的抗雪崩能力,增強了器件在瞬�(tài)情況下的安全��

應用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
  3. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換開�(guān)�
  5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元�
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機�(qū)動及電源管理組件�

替代型號

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP16N60C
  IXYS20N60C3
  AOT290L-24E

ga0603h562kbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-