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GA0603H562KBAAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/9 12:19:20 查看 閱讀:3

GA0603H562KBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設(shè)計。該器件主要應用于高效率、高頻開關(guān)電源和電機驅(qū)動等場景中,具有低導通電阻、快速開關(guān)特性和高可靠性。其封裝形式為 TO-263,能夠提供出色的散熱性能以滿足高功率應用需求。
  該芯片通過優(yōu)化溝道結(jié)構(gòu)和柵極設(shè)計,顯著降低了導通損耗和開關(guān)損耗,從而提升了整體系統(tǒng)效率。此外,其具備良好的短路耐受能力和抗雪崩能力,確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行。

參數(shù)

型號:GA0603H562KBAAR31G
  類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):34A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  總柵極電荷(Qg):78nC
  輸入電容(Ciss):2900pF
  輸出電容(Coss):68pF
  反向傳輸電容(Crss):95pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 極低的導通電阻 Rds(on),可有效減少導通損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)特性,支持高頻應用,有助于減小磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本。
  3. 高度穩(wěn)定的動態(tài)特性,確保在不同負載條件下的可靠運行。
  4. 短路耐受時間長,在過載或異常情況下能夠保護電路。
  5. 采用符合 RoHS 標準的環(huán)保材料,滿足國際法規(guī)要求。
  6. 具備優(yōu)異的熱性能,適合高功率密度的設(shè)計需求。
  7. 可靠的抗雪崩能力,增強了器件在瞬態(tài)情況下的安全性。

應用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. 電機驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
  3. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換開關(guān)。
  5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元。
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機驅(qū)動及電源管理組件。

替代型號

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP16N60C
  IXYS20N60C3
  AOT290L-24E

ga0603h562kbaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-