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GA0603H562KXXAC31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/21 19:57:31 查看 閱讀:21

GA0603H562KXXAC31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為需要高效率和低功耗的應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進的制造工藝,具備出色的開關(guān)特性和導(dǎo)通性能。它通常用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關(guān)等場景。
  其封裝形式為 LFPAK8,在節(jié)省空間的同時確保了良好的散熱性能。由于其低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和快速開關(guān)能力,GA0603H562KXXAC31G 能夠在高頻工作條件下實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-channel
  最大漏源電壓(Vdss):60V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):16A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  柵極電荷(Qg):16nC
  總功耗(Ptot):2.7W
  工作溫度范圍(Ta):-55℃ to +175℃
  封裝:LFPAK8

特性

GA0603H562KXXAC31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),從而降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)能力,支持高頻操作,減少開關(guān)損耗。
  3. 高雪崩能力,增強器件在過載條件下的耐用性。
  4. 支持寬范圍的工作溫度,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
  5. 小型化的 LFPAK8 封裝,適合緊湊型設(shè)計需求。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛。
  這些特性使得 GA0603H562KXXAC31G 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電機驅(qū)動電路,例如步進電機或無刷直流電機控制。
  3. 負載開關(guān),用于保護下游電路免受過流或短路的影響。
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于高效的充電和放電控制。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換與功率控制。
  6. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力轉(zhuǎn)向和剎車控制單元。
  憑借其卓越的性能和可靠性,GA0603H562KXXAC31G 在眾多電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

替代型號

GA0603H562KXXA, IPD60R060P7, FDP150AN60

ga0603h562kxxac31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-