類型：N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：3.8A
　　脈沖漏極電流(Ip)：11.4A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：5.6mΩ
　　柵極電荷(Qg)：20nC
　　輸入電容(Ciss)：1190pF
　　輸出電容(Coss)：265pF
　　開關(guān)時(shí)間：ton=17ns, toff=12ns
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可有效降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 小型封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省 PCB 空間。
　　4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，能夠承受較高的結(jié)溫。
　　5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路，提高抗靜電能力。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
　　7. 可靠性高，適合工業(yè)級(jí)及消費(fèi)類電子應(yīng)用。

1. 開關(guān)電源(SMPS) 的同步整流電路。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路。
　　4. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
　　5. LED 驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)器件。
　　6. 各類負(fù)載開關(guān)及保護(hù)電路。

GA0603H562MXXAC31T, IRF540N, FDP066N06L