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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603H562MXXAC31G

GA0603H562MXXAC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 1:56:05 查看 閱讀�19

GA0603H562MXXAC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,可顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠��
  該型�(hào)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于需要快速開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.8A
  脈沖漏極電流(Ip)�11.4A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�5.6mΩ
  柵極電荷(Qg)�20nC
  輸入電容(Ciss)�1190pF
  輸出電容(Coss)�265pF
  開關(guān)�(shí)間:ton=17ns, toff=12ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
  3. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)��
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高抗靜電能力�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  7. 可靠性高,適合工�(yè)�(jí)及消�(fèi)類電子應(yīng)用�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS) 的同步整流電��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電��
  4. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
  5. LED �(qū)�(dòng)器中的開�(guān)器件�
  6. 各類�(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路�

替代型號(hào)

GA0603H562MXXAC31T, IRF540N, FDP066N06L

ga0603h562mxxac31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-