GA0603H681JBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合要求高效能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
這款芯片屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在降低功耗并提高系統(tǒng)效率,同�(shí)具備良好的電磁兼容性和可靠�。由于其�(yōu)異的電氣特�,GA0603H681JBAAT31G 在消�(fèi)電子、工�(yè)控制和汽車電子等多�(gè)�(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�35A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�70nC
開關(guān)�(shí)間:典型� 15ns/10ns(開�/�(guān)閉)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3L
GA0603H681JBAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,能夠支持高頻操�,適�(yīng)�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的需��
3. 高電流承載能�,確保在大負(fù)載條件下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 出色的熱性能,通過�(yōu)化的散熱�(shè)�(jì),�(jìn)一步提升了可靠性和使用壽命�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的�(cè)試流�,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期工��
GA0603H681JBAAT31G 廣泛適用于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)�
5. 汽車電子系統(tǒng)的電池管理及電源分配�
6. 大功� LED �(qū)�(dòng)器中的關(guān)鍵功率器��
IRFZ44N
FDP5800
STP36NF06L