GA0603H681JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合要求高效能和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。
這款芯片屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在降低功耗并提高系統(tǒng)效率,同時(shí)具備良好的電磁兼容性和可靠性。由于其優(yōu)異的電氣特性,GA0603H681JBAAT31G 在消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:35A
導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:70nC
開關(guān)時(shí)間:典型值 15ns/10ns(開啟/關(guān)閉)
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247-3L
GA0603H681JBAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度,能夠支持高頻操作,適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的需求。
3. 高電流承載能力,確保在大負(fù)載條件下依然保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 出色的熱性能,通過優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì),進(jìn)一步提升了可靠性和使用壽命。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
6. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試流程,能夠在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期工作。
GA0603H681JBAAT31G 廣泛適用于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)。
5. 汽車電子系統(tǒng)的電池管理及電源分配。
6. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器中的關(guān)鍵功率器件。
IRFZ44N
FDP5800
STP36NF06L