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GA0603H681JBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 19:25:04 查看 閱讀:11

GA0603H681JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合要求高效能和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。
  這款芯片屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在降低功耗并提高系統(tǒng)效率,同時(shí)具備良好的電磁兼容性和可靠性。由于其優(yōu)異的電氣特性,GA0603H681JBAAT31G 在消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:35A
  導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷:70nC
  開關(guān)時(shí)間:典型值 15ns/10ns(開啟/關(guān)閉)
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247-3L

特性

GA0603H681JBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,能夠支持高頻操作,適應(yīng)現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的需求。
  3. 高電流承載能力,確保在大負(fù)載條件下依然保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 出色的熱性能,通過優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì),進(jìn)一步提升了可靠性和使用壽命。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
  6. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試流程,能夠在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期工作。

應(yīng)用

GA0603H681JBAAT31G 廣泛適用于以下場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)。
  5. 汽車電子系統(tǒng)的電池管理及電源分配。
  6. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器中的關(guān)鍵功率器件。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  STP36NF06L

ga0603h681jbaat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-