時間：2025/6/4 18:40:04
閱讀：13
GA0603H681MXXAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，屬于 GaN（氮化鎵）基器件。該芯片采用了先進的 GaN 技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高頻工作的特點，適用于需要高效能和小體積設(shè)計的應(yīng)用場景。
該型號中的具體參數(shù)定義包括：GaN 器件類型、封裝形式、額定電壓和電流范圍等，使其在電源管理、快充適配器、無線充電以及 D類音頻放大器等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。
型號：GA0603H681MXXAC31G
類型：增強型 GaN HEMT
漏源電壓(Vdss)：650V
連續(xù)漏極電流(Id)：3A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：160mΩ
柵極閾值電壓(Vth)：2.5V~4.5V
輸入電容(Ciss)：1790pF
輸出電容(Coss)：38pF
反向傳輸電容(Crss)：12pF
最大功耗(Ptot)：4W
工作溫度范圍：-55℃~+150℃
GA0603H681MXXAC31G 具備以下主要特性：
1. 使用 GaN 技術(shù)制造，具有非常低的導(dǎo)通電阻和極高的開關(guān)速度，能夠顯著減少能量損耗。
2. 額定漏源電壓高達 650V，適用于高壓應(yīng)用場景。
3. 內(nèi)置優(yōu)化的保護功能，如過流保護和短路保護，提升了整體系統(tǒng)的可靠性。
4. 封裝小巧，易于集成到緊湊型設(shè)計中，特別適合便攜式電子設(shè)備。
5. 支持高頻操作，有助于減小無源元件尺寸并提升系統(tǒng)效率。
6. 工作溫度范圍廣，能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行。
GA0603H681MXXAC31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS)：
- AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- PFC（功率因數(shù)校正）電路
2. 快速充電器：
- USB-PD 協(xié)議充電器
- 多端口充電設(shè)備
3. 無線充電：
- 符合 Qi 標準的無線充電發(fā)射端和接收端
4. 汽車電子：
- OBC（車載充電器）
- DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊
5. 工業(yè)自動化：
- 電機驅(qū)動
- 不間斷電源 (UPS)
6. 消費類電子產(chǎn)品：
- D類音頻放大器
- LED 驅(qū)動器
