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GA0603H681MXXAC31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/4 18:40:04 查看 閱讀:13

GA0603H681MXXAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,屬于 GaN(氮化鎵)基器件。該芯片采用了先進的 GaN 技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高頻工作的特點,適用于需要高效能和小體積設(shè)計的應(yīng)用場景。
  該型號中的具體參數(shù)定義包括:GaN 器件類型、封裝形式、額定電壓和電流范圍等,使其在電源管理、快充適配器、無線充電以及 D類音頻放大器等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

參數(shù)

型號:GA0603H681MXXAC31G
  類型:增強型 GaN HEMT
  漏源電壓(Vdss):650V
  連續(xù)漏極電流(Id):3A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):160mΩ
  柵極閾值電壓(Vth):2.5V~4.5V
  輸入電容(Ciss):1790pF
  輸出電容(Coss):38pF
  反向傳輸電容(Crss):12pF
  最大功耗(Ptot):4W
  工作溫度范圍:-55℃~+150℃

特性

GA0603H681MXXAC31G 具備以下主要特性:
  1. 使用 GaN 技術(shù)制造,具有非常低的導(dǎo)通電阻和極高的開關(guān)速度,能夠顯著減少能量損耗。
  2. 額定漏源電壓高達 650V,適用于高壓應(yīng)用場景。
  3. 內(nèi)置優(yōu)化的保護功能,如過流保護和短路保護,提升了整體系統(tǒng)的可靠性。
  4. 封裝小巧,易于集成到緊湊型設(shè)計中,特別適合便攜式電子設(shè)備。
  5. 支持高頻操作,有助于減小無源元件尺寸并提升系統(tǒng)效率。
  6. 工作溫度范圍廣,能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行。

應(yīng)用

GA0603H681MXXAC31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):
   - AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
   - PFC(功率因數(shù)校正)電路
  2. 快速充電器:
   - USB-PD 協(xié)議充電器
   - 多端口充電設(shè)備
  3. 無線充電:
   - 符合 Qi 標準的無線充電發(fā)射端和接收端
  4. 汽車電子:
   - OBC(車載充電器)
   - DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊
  5. 工業(yè)自動化:
   - 電機驅(qū)動
   - 不間斷電源 (UPS)
  6. 消費類電子產(chǎn)品:
   - D類音頻放大器
   - LED 驅(qū)動器

ga0603h681mxxac31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-