GA0603H682JBXAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等高效率�(yīng)用。該芯片采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率并降低�(fā)�。此�,其封裝形式專為散熱�(yōu)化設(shè)�,適合在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
型號:GA0603H682JBXAT31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
反向恢復時間(trr):75ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GA0603H682JBXAT31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導通電阻(2.5mΩ�,可有效降低導通損��
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適用于高效能電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
3. 高額定電流(30A�,能夠承受較大的負載�
4. 寬工作溫度范圍(-55� � +175℃),確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定��
5. �(yōu)化的熱性能封裝,提升散熱效�,延長使用壽命�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)和逆變��
6. 高效 LED �(qū)動器和其他需要大電流、低損耗的�(yīng)用場景�
GA0603H682JBXAT31GA, IRFZ44N, FDP5500