GA0603H821JBXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高頻開關(guān)應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適合應(yīng)用于各種高效率、高頻率的電源管理場景。這款芯片在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了熱性能和電氣性能,能夠滿足嚴(yán)苛的工作環(huán)境需求。
類型:MOSFET
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
擊穿電壓:60V
連續(xù)漏極電流:35A
柵極電荷:35nC
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
封裝形式:TO-263
GA0603H821JBXAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)用,降低了開關(guān)損耗。
3. 高電流處理能力,可承載高達(dá) 35A 的連續(xù)漏極電流。
4. 優(yōu)秀的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 柵極驅(qū)動要求低,便于與控制器配合使用。
6. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
GA0603H821JBXAT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動器,提供高效的功率控制。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
5. 汽車電子設(shè)備中的負(fù)載切換。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與控制。
GA0603H821JAXT31G, IRF540N, FDP067N06L