GA0603Y122JBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該型�(hào)為表面貼裝封�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)和高密度電路�(shè)�(jì)。其出色的熱性能和電氣特性使其成為眾多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選擇�
類型:功率MOSFET
封裝:SOT-227
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�3.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):45A
Qg(柵極電荷)�39nC
Bvdss(擊穿電壓)�60V
fT(特征頻率)�2.1MHz
工作溫度范圍�-55℃至150�
GA0603Y122JBCAR31G具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),僅�3.5mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,柵極電荷Qg僅為39nC,可�(shí)�(xiàn)更高的開�(guān)頻率,減少開�(guān)損耗�
3. 高額定電流能�,支持最�45A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
4. 小型化SOT-227封裝,節(jié)省PCB空間,同�(shí)具備�(yōu)良的散熱性能�
5. 寬泛的工作溫度范�,從-55℃到150℃,適用于惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)��
6. 出色的抗雪崩能力和靜電防�(hù)性能,提升器件的耐用性和安全��
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 汽車電子系統(tǒng)
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
7. LED�(qū)�(dòng)�
8. 筆記本電腦適配器和其他便攜式�(shè)備電源解決方�
GA0603Y122JBCAR31G憑借其卓越的性能和可靠性,在這些�(yīng)用中提供高效的電力傳輸和精確的負(fù)載控��
GA0603Y122JBVAR31G, IRF6645PbF, AO66458