GA0603Y122MBBAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率和低損耗的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合在高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用中使用�
這款MOSFET芯片的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的�(dòng)�(tài)性能和熱�(wěn)定�,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效�,并減少�(fā)熱問(wèn)�。此外,其封裝形式經(jīng)�(guò)精心�(shè)�(jì),可支持大電流輸�,同�(shí)保持較小的占板面��
型號(hào):GA0603Y122MBBAT31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷(Qg)�75nC(典型值)
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=19ns,toff=24ns(典型值)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗和提升效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
3. 高度�(wěn)定的電氣參數(shù),確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的可靠��
4. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
5. �(qiáng)大的散熱能力,能夠在高溫�(huán)境下正常工作�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
7. 支持大電流操�,適用于各種高負(fù)載場(chǎng)景�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的逆變橋臂組件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換開(kāi)�(guān)�
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的高可靠性功率管理模塊�
7. 其他需要高效能功率�(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)��
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5500
IXFN100N04T2