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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603Y122MBBAT31G

GA0603Y122MBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 21:37:49 查看 閱讀�20

GA0603Y122MBBAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率和低損耗的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合在高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用中使用�
  這款MOSFET芯片的主要特�(diǎn)是其�(yōu)化的�(dòng)�(tài)性能和熱�(wěn)定�,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效�,并減少�(fā)熱問(wèn)�。此外,其封裝形式經(jīng)�(guò)精心�(shè)�(jì),可支持大電流輸�,同�(shí)保持較小的占板面��

參數(shù)

型號(hào):GA0603Y122MBBAT31G
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�75nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=19ns,toff=24ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗和提升效率�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高度�(wěn)定的電氣參數(shù),確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的可靠��
  4. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
  5. �(qiáng)大的散熱能力,能夠在高溫�(huán)境下正常工作�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
  7. 支持大電流操�,適用于各種高負(fù)載場(chǎng)景�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的逆變橋臂組件�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開(kāi)�(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換開(kāi)�(guān)�
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的高可靠性功率管理模塊�
  7. 其他需要高效能功率�(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5500
  IXFN100N04T2

ga0603y122mbbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-