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GA0603Y122MXJAP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 16:29:01 查看 閱讀�22

GA0603Y122MXJAP31G 是一種基于砷化鎵(GaAs)工藝的高頻�、低噪聲放大器芯�,主要應(yīng)用于射頻和微波通信系統(tǒng)。該芯片采用先�(jìn)� GaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)技�(shù)制�,能夠提供卓越的增益性能和較低的噪聲系數(shù),適合于�(wèi)星通信、雷�(dá)系統(tǒng)以及無線通信�(shè)備中的信�(hào)放大任務(wù)�
  該型�(hào)還具有較寬的工作帶寬和出色的線性度表現(xiàn),使其在高頻段應(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),它支持表面貼裝封裝,便于大�(guī)模生�(chǎn)和組��

參數(shù)

工作頻率范圍�6 GHz � 26 GHz
  增益�12 dB 典型�
  噪聲系數(shù)�2.5 dB 典型�
  輸入匹配�20 dBm 最�
  輸出功率�1 dB 壓縮�(diǎn)):+18 dBm 典型�
  電源電壓�+4 Vdc
  靜態(tài)電流�70 mA 典型�
  封裝形式:QFN-8

特�

GA0603Y122MXJAP31G 提供了高度集成的�(shè)�(jì),內(nèi)部包含偏置電路,從而減少了外部元件的需求,簡化了設(shè)�(jì)流程。其出色的射頻性能得益� GaAs HEMT 技�(shù)帶來的高效率和穩(wěn)定��
  此外,該芯片具備良好的溫度穩(wěn)定�,在 -40°C � +85°C 的范圍內(nèi)仍能保持�(wěn)定的增益和噪聲系�(shù)。這種特性對(duì)于需要在惡劣�(huán)境下工作的設(shè)備尤為重��
  由于其寬帶性能和低噪聲特點(diǎn),GA0603Y122MXJAP31G 能夠滿足多種射頻前端模塊的要�,包括但不限� LNA(低噪聲放大器)、上/下變頻器以及其他射頻信號(hào)處理組件的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片適用于多種高頻通信�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. �(wèi)星通信系統(tǒng)中的射頻信號(hào)放大
  2. 雷達(dá)系統(tǒng)中的接收�(jī)前端
  3. 5G 和其他無線通信基礎(chǔ)�(shè)�
  4. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備中的信�(hào)增強(qiáng)
  5. 微波鏈路�(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) �(yīng)用中的高頻信�(hào)處理
  GA0603Y122MXJAP31G 憑借其高性能和可靠性,成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

GA0603Y122MXJBP31G
  GA0603Y122MXJCP31G

ga0603y122mxjap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-