GA0603Y123JBAAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,屬于功率半�(dǎo)體家�。該芯片主要用于開關(guān)和放大功�,廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
該型�(hào)采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠在高頻率下提供卓越的性能表現(xiàn)。此�,其封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�95nC
開關(guān)速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝類型:TO-247
GA0603Y123JBAAR31G 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電�,這顯著降低了功率損耗并提高了效�。同�(shí),其快速開�(guān)能力使得它非常適合高頻應(yīng)�,如開關(guān)電源和逆變器�
該器件還具有出色的熱�(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能保持可靠性能。此�,內(nèi)置的保護(hù)�(jī)制�(jìn)一步增�(qiáng)了其耐用性和安全��
其封裝形式為 TO-247,具有良好的散熱特性和�(jī)械強(qiáng)�,適合高功率密度的設(shè)�(jì)需��
該元器件廣泛用于工業(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)�,具體包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 逆變�
4. DC-DC �(zhuǎn)換器
5. 太陽能微逆變�
6. 電動(dòng)車充電設(shè)�
由于其卓越的電氣特性和可靠性,GA0603Y123JBAAR31G 成為眾多工程師在�(shè)�(jì)高效率功率系�(tǒng)�(shí)的首選解決方��
IRF3710, FDP5570N, GA0603Y123K