GA0603Y123JBJAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)。該芯片適用于高效率�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要快速開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)��
此芯片具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著減少系�(tǒng)功耗并提升整體性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�95nC
反向恢復(fù)�(shí)間:10ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0603Y123JBJAT31G 芯片的主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損��
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,可以提高工作效率并減少�(kāi)�(guān)損��
3. 高溫適應(yīng)性,能在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,確保在長(zhǎng)�(shí)間高�(fù)載情況下依然保持可靠性能�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際規(guī)范要��
這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源適配器和充電��
2. 通信�(shè)備中的電源管理模塊�
3. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)�、制�(dòng)系統(tǒng)等�
4. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和功率調(diào)節(jié)�
5. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器和光伏逆變��
6. UPS不間斷電源和其他�(guān)鍵能源管理系�(tǒng)�
IRF7846,
FDP16N60,
AOT290L