GA0603Y123MBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能。
該型號(hào)是為滿(mǎn)足高效能和高可靠性的需求而設(shè)計(jì)的,適用于工業(yè)、消費(fèi)電子以及汽車(chē)電子等領(lǐng)域。通過(guò)優(yōu)化的封裝技術(shù)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),該芯片能夠有效降低系統(tǒng)的能耗并提升整體效率。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:90nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=15ns, toff=22ns
工作溫度范圍:-55℃至175℃
封裝形式:TO-247-3
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期運(yùn)行。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)芯片的抗靜電能力。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
6. 提供卓越的電氣性能,支持大電流輸出和快速瞬態(tài)響應(yīng)。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)組件。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的功率管理模塊。
6. LED照明驅(qū)動(dòng)中的高效功率轉(zhuǎn)換元件。
IRFZ44N, FDP5500, STP36NF06L