GA0603Y152MXBAP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、電機驅(qū)動和負載切換等應用。該器件采用先進的半導體工藝制�,具有低導通電�、快速開關速度和高電流處理能力的特�,適用于多種工業(yè)及消費電子領��
該芯片屬于溝道型MOSFET系列,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)�,并具備出色的熱性能表現(xiàn),從而確保長時間�(wěn)定運��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流Id�30A
導通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
柵極電荷Qg�48nC
反向恢復時間Trr�90ns
結溫范圍�-55� to +175�
GA0603Y152MXBAP31G的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,減少功率損�,提高效��
2. 快速的開關速度,適合高頻應用環(huán)��
3. 高雪崩能量能�,增強了在異常工作條件下的魯棒性�
4. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保設計�
5. �(yōu)化的熱阻設計,改善散熱性能�
6. 小型化封�,便于PCB布局和節(jié)省空��
這款功率MOSFET廣泛應用于以下場景:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和主開��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開關�
3. 電動工具、家用電器和其他便攜式設備中的電機驅(qū)動控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與保護電��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑控制�
GA0603Y152MXBAP28G
IRFZ44N
FDP18N06L
STP30NF06L