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GA0603Y152MXBAP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 11:39:36 查看 閱讀�19

GA0603Y152MXBAP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、電機驅(qū)動和負載切換等應用。該器件采用先進的半導體工藝制�,具有低導通電�、快速開關速度和高電流處理能力的特�,適用于多種工業(yè)及消費電子領��
  該芯片屬于溝道型MOSFET系列,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)�,并具備出色的熱性能表現(xiàn),從而確保長時間�(wěn)定運��

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  持續(xù)漏極電流Id�30A
  導通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  柵極電荷Qg�48nC
  反向恢復時間Trr�90ns
  結溫范圍�-55� to +175�

特�

GA0603Y152MXBAP31G的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻,減少功率損�,提高效��
  2. 快速的開關速度,適合高頻應用環(huán)��
  3. 高雪崩能量能�,增強了在異常工作條件下的魯棒性�
  4. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保設計�
  5. �(yōu)化的熱阻設計,改善散熱性能�
  6. 小型化封�,便于PCB布局和節(jié)省空��

應用

這款功率MOSFET廣泛應用于以下場景:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和主開��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開關�
  3. 電動工具、家用電器和其他便攜式設備中的電機驅(qū)動控制�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與保護電��
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑控制�

替代型號

GA0603Y152MXBAP28G
  IRFZ44N
  FDP18N06L
  STP30NF06L

ga0603y152mxbap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1500 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-