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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603Y182JBBAR31G

GA0603Y182JBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 2:01:02 查看 閱讀�15

GA0603Y182JBBAR31G 是一款高性能的射頻功率晶體管,專(zhuān)為無(wú)線通信系統(tǒng)中的功率放大器應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有高增益、高線性度和高效率的特�(diǎn),適合工作在高頻段的通信�(shè)備中�
  此晶體管廣泛�(yīng)用于基站、無(wú)線基�(chǔ)�(shè)施以及射頻功率放大器模塊中,能夠滿足�(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)高可靠性和�(wěn)定性的需��

參數(shù)

型號(hào):GA0603Y182JBBAR31G
  �(lèi)型:射頻功率晶體�
  頻率范圍�50 MHz � 3 GHz
  輸出功率�50 W(典型值)
  增益�15 dB(典型值)
  電源電壓�28 V
  封裝形式:表面貼� (SMD)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  輸入匹配阻抗�50 Ω
  輸出匹配阻抗�50 Ω

特�

GA0603Y182JBBAR31G 具備以下主要特性:
  1. 高輸出功率能�,在高頻范圍�(nèi)表現(xiàn)出色,適合多種通信�(yīng)��
  2. 采用高效的散熱設(shè)�(jì),能夠有效降低熱�,提高器件的可靠��
  3. �(nèi)部集成保�(hù)電路,可防止�(guò)壓和�(guò)流情況對(duì)晶體管造成損害�
  4. 良好的線性度表現(xiàn),有助于減少信號(hào)失真,提高通信�(zhì)��
  5. 支持表面貼裝技�(shù),便于自�(dòng)化生�(chǎn),提升裝配效��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

該晶體管主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(wú)線通信基站的射頻功率放大器�
  2. 微波鏈路和點(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電�(shè)��
  3. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 頻段的射頻發(fā)射器�
  4. �(cè)試與�(cè)�?jī)x器中的射頻信�(hào)��
  5. 軍事和航空航天領(lǐng)域的高性能射頻系統(tǒng)�
  6. 移動(dòng)�(wǎng)�(luò)基礎(chǔ)�(shè)施中的高效率功率放大器模塊�

替代型號(hào)

GA0603Y182JBBAR29G, GA0603Y182JBBAR30G

ga0603y182jbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-