GA0603Y222MXJAP31G 是一款高性能� MOSFET 場效�(yīng)晶體�,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換電路中。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工藝開�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�,適合用于各類高效能電源管理系統(tǒng)�
此型號中的部分字母和�(shù)字組合代表了其封裝形式、電氣參�(shù)以及特定的制造批次信�,具體需參考廠商數(shù)�(jù)手冊�
類型:MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5 mΩ
最大漏源電壓(Vds):60 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
連續(xù)漏極電流(Id):90 A
總功耗(Ptot):250 W
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA0603Y222MXJAP31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻使得其在大電流�(yīng)用下效率更高,發(fā)熱更��
2. 快速的開關(guān)速度能夠滿足高頻電路的需求,減少開關(guān)損��
3. 高耐壓能力確保其能夠在嚴苛的工作條件下�(wěn)定運��
4. �(yōu)異的熱性能�(shè)計有助于提高系統(tǒng)的整體可靠��
5. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于工業(yè)級及汽車級應(yīng)用環(huán)��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter�
3. 電機�(qū)動控�
4. 太陽能逆變�
5. 電動汽車充電系統(tǒng)
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模�
由于其卓越的性能表現(xiàn),它成為了許多高功率密度�(yīng)用的理想選擇�
GA0603Y222MXJAP32G, IRF840, FDP55N06L