GA0603Y223MBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電源和電機驅(qū)動等場景。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高效率和出色的熱性能等特點。其封裝形式為行�(yè)標準的表面貼裝類�,適合大�(guī)模自動化生產(chǎn)�
最大漏源電壓:60V
持續(xù)漏極電流�3.8A
導通電阻:2.5mΩ
工作溫度范圍�-55� � 150�
封裝形式:LFPAK33
GA0603Y223MBXAR31G 具有較低的導通電�,能夠顯著減少功率損耗,提高系統(tǒng)整體效率。同�,它具備快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷,這使其非常適合高頻應(yīng)用場合。此�,該器件在高溫環(huán)境下依然保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),適用于惡劣的工作條��
這款芯片還集成了靜電保護功能,提升了可靠性和抗干擾能�。其緊湊的封裝設(shè)計不僅節(jié)省了電路板空�,還簡化了散熱管理流��
該型號廣泛用于各種電子設(shè)備中,包括但不限于筆記本電腦適配�、USB充電�、LED�(qū)動器以及家用電器中的電源模塊。此�,在工業(yè)�(lǐng)�,它常被用作電機控制電路中的�(guān)鍵元�,例如步進電機或無刷直流電機的驅(qū)動部�。得益于其高效的特性和緊湊的設(shè)計,也常見于對體積和功耗要求較高的便攜式電子產(chǎn)品中�
GA0603Y222MBXAR31G
IRLZ44N
FDP17N06L