GA0603Y272MBXAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能�
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)�,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需��
型號(hào):GA0603Y272MBXAR31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�38A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.7mΩ
總功�(Ptot)�240W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
封裝:TO-247-3L
GA0603Y272MBXAR31G 的主要特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅� 2.7mΩ,這使得它在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)降低了功率損耗�
此外,該芯片支持高達(dá) 38A 的連續(xù)漏極電流,并具備快速開(kāi)�(guān)能力,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗�
芯片還具有出色的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下也能保持良好的性能�
由于采用了最新的半導(dǎo)體制造工�,此器件擁有更高的可靠性和更長(zhǎng)的使用壽命,適用于工�(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)��
該芯片適合用于多種電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵組件,包括但不限于以下�(yīng)用:
- �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
- 電池保護(hù)電路
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
- 汽車(chē)電子系統(tǒng)
- 照明�(qū)�(dòng)電路
憑借其高效的開(kāi)�(guān)特性和低損耗設(shè)�(jì),GA0603Y272MBXAR31G 成為眾多高性能電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��
GA0603Y271MBXAR31G
IRFZ44N
FDP5500
STP36NF06L