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GA0603Y562MBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 21:26:51 查看 閱讀:19

GA0603Y562MBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,專為高效率、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該芯片具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)速度,能夠顯著降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式適合高密度組裝需求,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各類工業(yè)電子設(shè)備中。
  該型號(hào)的命名規(guī)則包含了對(duì)芯片主要參數(shù)及特性的標(biāo)識(shí),如電壓等級(jí)、電流承載能力、封裝類型等信息。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:30A
  導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷:45nC
  總電容:1200pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃

特性

GA0603Y562MBBAR31G 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下可有效減少功耗。
  2. 快速開(kāi)關(guān)特性,適用于高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 高雪崩耐量能力,確保在異常條件下具備更強(qiáng)的魯棒性。
  4. 提供全面的靜電防護(hù)機(jī)制,增強(qiáng)器件的可靠性。
  5. 支持寬泛的工作溫度范圍,滿足惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
  6. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化散熱性能,有助于提高整體系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
  4. 新能源汽車及混合動(dòng)力汽車中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  5. 太陽(yáng)能逆變器及其他高效能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
  6. 各類保護(hù)電路,例如過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)等。

替代型號(hào)

GA0603Y562MBBAR30G, IRFZ44N, FDP5501

ga0603y562mbbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-