GA0603Y562MBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,專為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠顯著降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式適合高密度組裝需�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類工業(yè)電子�(shè)備中�
該型�(hào)的命名規(guī)則包含了�(duì)芯片主要參數(shù)及特性的�(biāo)�(shí),如電壓等級(jí)、電流承載能�、封裝類型等信息�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�45nC
總電容:1200pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA0603Y562MBBAR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下可有效減少功耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)特�,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源�(shè)�(jì),能顯著降低�(kāi)�(guān)損��
3. 高雪崩耐量能力,確保在異常條件下具備更�(qiáng)的魯棒��
4. 提供全面的靜電防�(hù)�(jī)�,增�(qiáng)器件的可靠性�
5. 支持寬泛的工作溫度范�,滿足惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求�
6. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化散熱性能,有助于提高整體系統(tǒng)的熱�(wěn)定��
該功� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流管�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制�
4. 新能源汽車及混合�(dòng)力汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. 太陽(yáng)能逆變器及其他高效能量�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
6. 各類保護(hù)電路,例如過(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)��
GA0603Y562MBBAR30G, IRFZ44N, FDP5501