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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603Y562MBBAR31G

GA0603Y562MBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 21:26:51 查看 閱讀�19

GA0603Y562MBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,專為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠顯著降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式適合高密度組裝需�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類工業(yè)電子�(shè)備中�
  該型�(hào)的命名規(guī)則包含了�(duì)芯片主要參數(shù)及特性的�(biāo)�(shí),如電壓等級(jí)、電流承載能�、封裝類型等信息�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  總電容:1200pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

GA0603Y562MBBAR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下可有效減少功耗�
  2. 快速開(kāi)�(guān)特�,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源�(shè)�(jì),能顯著降低�(kāi)�(guān)損��
  3. 高雪崩耐量能力,確保在異常條件下具備更�(qiáng)的魯棒��
  4. 提供全面的靜電防�(hù)�(jī)�,增�(qiáng)器件的可靠性�
  5. 支持寬泛的工作溫度范�,滿足惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求�
  6. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化散熱性能,有助于提高整體系統(tǒng)的熱�(wěn)定��

�(yīng)�

該功� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流管�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制�
  4. 新能源汽車及混合�(dòng)力汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
  5. 太陽(yáng)能逆變器及其他高效能量�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  6. 各類保護(hù)電路,例如過(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)��

替代型號(hào)

GA0603Y562MBBAR30G, IRFZ44N, FDP5501

ga0603y562mbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-