GA0603Y681JBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具備低�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
此芯片具有堅(jiān)固的�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu),能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,同時支持快速開�(guān)操作以適�(yīng)高頻�(yīng)用場景�
類型:功� MOSFET
封裝:TO-247
Vds(漏源電壓)�650V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�45mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):31A
Qg(柵極電荷)�95nC
fsw(最大開�(guān)頻率):100kHz
Ptot(總功耗)�210W
GA0603Y681JBAAT31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,適合高壓電路設(shè)�(jì)�
2. 極低的導(dǎo)通電�,有效減少傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度,優(yōu)化高頻應(yīng)用中的效��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能��
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能在高溫環(huán)境下持續(xù)工作�
6. 小型化封�,節(jié)� PCB 布局空間�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和控制�
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. 電動汽車充電�(shè)��
5. LED �(qū)動電源和其他高效能源管理場景�
GA0603Y681JBAAT31H, IRFZ44N, FQP50N06L