GA0603Y681MBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等電力電子應(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了在高頻開(kāi)�(guān)條件下的表現(xiàn),適用于需要高效能和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
該器件支持表面貼裝技�(shù)(SMT),封裝形式緊�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�250W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-3
GA0603Y681MBAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能量承受能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
4. 小尺寸封裝,易于集成到緊湊型�(shè)�(jì)��
5. 支持高電流操�,滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景的需求�
6. 熱性能�(yōu)�,能夠有效降低溫升以提高系統(tǒng)�(wěn)定性�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制單元�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
6. 通信�(shè)備中的電源模塊設(shè)�(jì)�
7. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理和電機(jī)�(qū)�(dòng)�
其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�
GA0603Y681MBAAT31F, IRFZ44N, FDP55N06L