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GA0603Y681MBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:47:09 查看 閱讀�8

GA0603Y681MBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等電力電子應(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了在高頻開(kāi)�(guān)條件下的表現(xiàn),適用于需要高效能和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  該器件支持表面貼裝技�(shù)(SMT),封裝形式緊�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  總功�(Ptot)�250W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263-3

特�

GA0603Y681MBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩能量承受能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
  4. 小尺寸封裝,易于集成到緊湊型�(shè)�(jì)��
  5. 支持高電流操�,滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景的需求�
  6. 熱性能�(yōu)�,能夠有效降低溫升以提高系統(tǒng)�(wěn)定性�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制單元�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  6. 通信�(shè)備中的電源模塊設(shè)�(jì)�
  7. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理和電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

GA0603Y681MBAAT31F, IRFZ44N, FDP55N06L

ga0603y681mbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-