GA0603Y682JBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)�。該芯片采用先進的溝槽式結(jié)�(gòu)�(shè)�,能夠顯著降低導通電阻和開關(guān)損�,從而提升系�(tǒng)效率�
該型號屬� N 溝道增強� MOSFET,其�(yōu)化的電氣特性使其在高電流密度和高頻率工作條件下表現(xiàn)出色。同�,它具備良好的熱�(wěn)定性和抗浪涌能�,適合于要求苛刻的工�(yè)和汽車級�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�35A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�95nC
開關(guān)速度:超高�
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有效減少傳導損耗,提高整體效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高� 1MHz 的工作頻��
3. �(nèi)� ESD 保護電路,增強了芯片的抗靜電能力�
4. 具備出色的熱管理和散熱性能,確保長時間�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且兼容多種表面貼裝工藝�
6. 提供卓越的雪崩能力和短路耐受時間,增加系�(tǒng)的可靠性和安全��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器及同步整流電路�
3. 電動工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動�
4. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變�、電動車充電模塊�
5. 高效 LED �(qū)動器�(shè)��
6. 各種需要高效能功率開關(guān)的應(yīng)用場��
IRF3710, FDP5510N, STP36NF06L