GA0603Y823JBJAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高頻開�(guān)�(yīng)用和電源管理�(lǐng)域。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高耐壓能力,能夠顯著提升電路效率并減少能��
這款功率MOSFET適用于廣泛的工業(yè)和消費類電子�(yīng)用,例如開關(guān)電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場��
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流Id�30A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�3mΩ
柵極電荷Qg�45nC
總電容Ciss�1290pF
開關(guān)頻率:高�500kHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適合高頻應(yīng)��
3. 高額定電流和耐壓能力,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運��
4. 緊湊的封裝設(shè)計,便于在空間受限的�(yīng)用中使用�
5. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種�(huán)境條件下的操作需��
6. 出色的熱性能表現(xiàn),支持更高的功率密度�
1. 開關(guān)電源(Switching Mode Power Supplies, SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流
3. 電機�(qū)動與控制
4. �(fù)載開�(guān)和保護電�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理模�
6. 電動汽車及混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�
IRF640N
STP30NF06L
FDP30N06L