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GA0805A100FXABC31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 11:46:32 查看 閱讀:21

GA0805A100FXABC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高性能功率晶體管,專為高頻、高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于高頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源適配器、無線充電模塊以及其他需要高效率和小型化的應(yīng)用場景。
  該型號(hào)中的具體參數(shù)和特性可能因制造商的不同而有所差異,但整體上都保持了氮化鎵器件的核心優(yōu)勢:高效能、小體積以及高功率密度。

參數(shù)

額定電壓:650V
  額定電流:8A
  導(dǎo)通電阻:90mΩ
  柵極電荷:25nC
  輸出電容:1050pF
  反向恢復(fù)時(shí)間:無(因GaN材料本身特性)
  工作溫度范圍:-40℃至+125℃

特性

1. 高效能量轉(zhuǎn)換:得益于GaN的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度,能夠顯著減少能量損耗。
  2. 小型化設(shè)計(jì):相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,GaN器件能夠在更小的封裝中實(shí)現(xiàn)更高的性能。
  3. 高頻操作能力:支持高達(dá)數(shù)MHz的開關(guān)頻率,適合新一代高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
  4. 熱性能優(yōu)越:低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗使得器件在高溫環(huán)境下依然保持穩(wěn)定工作。
  5. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測試,滿足工業(yè)級可靠性標(biāo)準(zhǔn),適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

應(yīng)用

1. 電源適配器和充電器:
  特別適合USB-PD快充適配器,能夠?qū)崿F(xiàn)小型化與高效率的統(tǒng)一。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:
  用于服務(wù)器、通信設(shè)備等領(lǐng)域的高效率DC-DC轉(zhuǎn)換電路。
  3. 無線充電:
  作為功率級核心元件,提供高效的能量傳輸。
  4. 激光雷達(dá)(LiDAR)驅(qū)動(dòng):
  由于高頻特性,適用于激光雷達(dá)脈沖驅(qū)動(dòng)場景。
  5. LED照明驅(qū)動(dòng):
  提供高效、穩(wěn)定的LED電源解決方案。

替代型號(hào)

GaN065T180A
  GaN Systems GS66508B
  EPC2025

ga0805a100fxabc31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容10 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-