GA0805A100JBABR31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 公司生產(chǎn)的碳化硅 (SiC) 基肖特基二極管。該器件采用先�(jìn)� SiC 技�(shù)制�,具有卓越的高頻性能、低正向壓降和快速恢�(fù)�(shí)�。其�(shè)�(jì)主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng),例如開�(guān)電源、逆變器和電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用�
與傳�(tǒng)硅基二極管相�,這款碳化硅肖特基二極管能夠在更高的溫度和電壓下穩(wěn)定運(yùn)行,同時(shí)提供更低的功率損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
型號:GA0805A100JBABR31G
類型:肖特基二極�
材料:碳化硅 (SiC)
最大正向電流:8A
峰值反向電壓:1200V
正向電壓:≤1.4V(典型� @ 8A�
反向恢復(fù)�(shí)間:�50ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
1. 高效能量�(zhuǎn)換:得益于碳化硅材料的獨(dú)特屬性,GA0805A100JBABR31G 能夠在高頻開�(guān)條件下實(shí)�(xiàn)更低的能量損��
2. 快速開�(guān)能力:極短的反向恢復(fù)�(shí)� (<50ns) 使其非常適合高頻�(yīng)用�
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):支持高�(dá) 175� 的結(jié)�,確保高溫環(huán)境下依然保持可靠的性能�
4. 高耐壓等級�1200V 的峰值反向電壓使得該二極管適用于高壓電力電子�(shè)��
5. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測試,能夠承受各種惡劣�(huán)境下的使用條��
該芯片廣泛應(yīng)用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域的高效電力�(zhuǎn)換場景中,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
2. 太陽能逆變�
3. 電動汽車充電系統(tǒng)
4. 不間斷電� (UPS)
5. 電機(jī)�(qū)動電�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器
其出色的性能表現(xiàn)使其成為�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)的核心組件之一�
GB0805A100JBABR31G
GS0805A100JBABR31G