GA0805A100JXCBP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,主要用于高頻率和高效率的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供卓越的性能和可靠�,同�(shí)降低系統(tǒng)整體功�。其�(shè)�(jì)適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及高頻逆變器等�(yīng)用領(lǐng)域�
型號(hào):GA0805A100JXCBP31G
類型:GaN 功率晶體�
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵源電壓(Vgs):+6 V / -10 V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):100 mΩ
連續(xù)漏極電流(Id):8 A
�(jié)電容(Coss):42 pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263-7
GA0805A100JXCBP31G 具備高性能特點(diǎn),包括快速開�(guān)速度和低�(dǎo)通電�,從而顯著減少開�(guān)損耗和傳導(dǎo)損��
1. 高效開關(guān)性能:得益于 GaN 材料的獨(dú)特屬�,該晶體管能夠在高頻條件下保持較低的開關(guān)損��
2. 低寄生參�(shù):優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)確保了更低的�(jié)電容和輸出電荷,�(jìn)一步提升了效率�
3. 耐熱性優(yōu)異:支持高達(dá) 175°C 的結(jié)溫操�,適合高溫環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
4. 小型化設(shè)�(jì):先�(jìn)封裝技�(shù)有助于減� PCB 占用面積,滿足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)緊湊�(shè)�(jì)的需��
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試和�(yàn)�,確保在惡劣工況下的使用壽命�
GA0805A100JXCBP31G 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高頻工作的電力電子�(shè)備中,典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 無線充電模塊
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)逆變�
5. 太陽能微型逆變�
6. �(shù)�(jù)中心電源管理系統(tǒng)
7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源部�
GAN065R080GA
GAN065R150GB
TXGQ100N065WS