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GA0805A120KBCBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 18:26:58 查看 閱讀�20

GA0805A120KBCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,專為高頻、高效應(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(e-mode FET)結(jié)�(gòu),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適合用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電系�(tǒng)以及其他需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(lǐng)域�
  相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,這款氮化鎵晶體管在工作頻率和效率方面表現(xiàn)出顯著優(yōu)�,能夠有效降低系�(tǒng)的能量損耗并提升功率密度�

參數(shù)

型號:GA0805A120KBCBR31G
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(e-mode GaN FET�
  耐壓�650 V
  �(dǎo)通電阻:120 mΩ(典型值)
  柵極閾值電壓:1.8 V�3.6 V
  最大漏極電流:8 A(脈沖)
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55℃~+150�

特�

1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的�(dú)特性質(zhì),該晶體管具備超低導(dǎo)通電阻和極小的開�(guān)損耗,可顯著提高系�(tǒng)效率�
  2. 高頻�(yùn)行能力:支持高達(dá)�(shù)MHz的工作頻率,非常適合高頻�(yīng)用場��
  3. 快速開�(guān)速度:極短的開關(guān)時間和低寄生電容使其能夠在高速切換條件下保持�(wěn)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下也能保持良好的電氣性能�
  5. 小型化設(shè)計:先�(jìn)的封裝工藝使得器件體積更�,便于集成到緊湊型電路中�
  6. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測試,確保長時間使用的�(wěn)定性與可靠��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies):
  用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中的主功率開�(guān),提供更高的效率和功率密��
  2. 無線充電模塊�
  適用于高頻諧振電�,減少熱耗散,提升充電效��
  3. 電機(jī)�(qū)動:
  在高頻PWM控制下實(shí)�(xiàn)高效的電�(jī)�(qū)動�
  4. 充電器與適配器:
  支持快充�(xié)議的移動�(shè)備充電器,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的高功率需求�
  5. 能量回收系統(tǒng)�
  如太陽能逆變器或其他能源管理�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)�
  6. LED照明�(qū)動:
  通過高頻開關(guān)提高�(diào)光精度和能效��

替代型號

GaN069-650WSA
  GAN064-650WSB

ga0805a120kbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容12 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-