時間：2025/5/22 18:26:58
閱讀：20
GA0805A120KBCBR31G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的功率晶體管，專為高頻、高效應(yīng)用場景設(shè)計。該器件采用增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管（e-mode FET）結(jié)構(gòu)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無線充電系統(tǒng)以及其他需要高性能功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET，這款氮化鎵晶體管在工作頻率和效率方面表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，能夠有效降低系統(tǒng)的能量損耗并提升功率密度。
型號：GA0805A120KBCBR31G
類型：增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管（e-mode GaN FET）
耐壓：650 V
導(dǎo)通電阻：120 mΩ（典型值）
柵極閾值電壓：1.8 V～3.6 V
最大漏極電流：8 A（脈沖）
封裝形式：TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍：-55℃～+150℃
1. 高效性能：得益于氮化鎵材料的獨(dú)特性質(zhì)，該晶體管具備超低導(dǎo)通電阻和極小的開關(guān)損耗，可顯著提高系統(tǒng)效率。
2. 高頻運(yùn)行能力：支持高達(dá)數(shù)MHz的工作頻率，非常適合高頻應(yīng)用場合。
3. 快速開關(guān)速度：極短的開關(guān)時間和低寄生電容使其能夠在高速切換條件下保持穩(wěn)定。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：即使在高溫環(huán)境下也能保持良好的電氣性能。
5. 小型化設(shè)計：先進(jìn)的封裝工藝使得器件體積更小，便于集成到緊湊型電路中。
6. 可靠性高：經(jīng)過嚴(yán)格測試，確保長時間使用的穩(wěn)定性與可靠性。
1. 開關(guān)電源（Switching Power Supplies）：
用于AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主功率開關(guān)，提供更高的效率和功率密度。
2. 無線充電模塊：
適用于高頻諧振電路，減少熱耗散，提升充電效率。
3. 電機(jī)驅(qū)動：
在高頻PWM控制下實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)驅(qū)動。
4. 充電器與適配器：
支持快充協(xié)議的移動設(shè)備充電器，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的高功率需求。
5. 能量回收系統(tǒng)：
如太陽能逆變器或其他能源管理設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)。
6. LED照明驅(qū)動：
通過高頻開關(guān)提高調(diào)光精度和能效比。
GaN069-650WSA
GAN064-650WSB
