GA0805A120KBCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,專為高頻、高效應(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(e-mode FET)結(jié)�(gòu),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適合用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電系�(tǒng)以及其他需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(lǐng)域�
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,這款氮化鎵晶體管在工作頻率和效率方面表現(xiàn)出顯著優(yōu)�,能夠有效降低系�(tǒng)的能量損耗并提升功率密度�
型號:GA0805A120KBCBR31G
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(e-mode GaN FET�
耐壓�650 V
�(dǎo)通電阻:120 mΩ(典型值)
柵極閾值電壓:1.8 V�3.6 V
最大漏極電流:8 A(脈沖)
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55℃~+150�
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的�(dú)特性質(zhì),該晶體管具備超低導(dǎo)通電阻和極小的開�(guān)損耗,可顯著提高系�(tǒng)效率�
2. 高頻�(yùn)行能力:支持高達(dá)�(shù)MHz的工作頻率,非常適合高頻�(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)速度:極短的開關(guān)時間和低寄生電容使其能夠在高速切換條件下保持�(wěn)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下也能保持良好的電氣性能�
5. 小型化設(shè)計:先�(jìn)的封裝工藝使得器件體積更�,便于集成到緊湊型電路中�
6. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測試,確保長時間使用的�(wěn)定性與可靠��
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies):
用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器中的主功率開�(guān),提供更高的效率和功率密��
2. 無線充電模塊�
適用于高頻諧振電�,減少熱耗散,提升充電效��
3. 電機(jī)�(qū)動:
在高頻PWM控制下實(shí)�(xiàn)高效的電�(jī)�(qū)動�
4. 充電器與適配器:
支持快充�(xié)議的移動�(shè)備充電器,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的高功率需求�
5. 能量回收系統(tǒng)�
如太陽能逆變器或其他能源管理�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)�
6. LED照明�(qū)動:
通過高頻開關(guān)提高�(diào)光精度和能效��
GaN069-650WSA
GAN064-650WSB