GA0805A122GXBBT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,主要用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻放大器等�(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的GaN-on-Si工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和功率密度�
與傳�(tǒng)硅基MOSFET相比,這款芯片在高頻工作條件下表現(xiàn)出更�(yōu)異的性能,同時減少了能量損�。其封裝形式�(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,以提高散熱性能和電氣連接可靠��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:12mΩ
柵極電荷�75nC
反向恢復(fù)時間�10ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
1. 高效的氮化鎵材料,提供更低的�(dǎo)通電阻和開關(guān)損��
2. 支持高達(dá)幾兆赫茲的開�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)用場��
3. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過流保�(hù)和短路保�(hù),提高了系統(tǒng)可靠性�
4. 封裝采用了增�(qiáng)型熱傳導(dǎo)�(shè)�,確保長時間�(wěn)定運行�
5. 具備出色的抗電磁干擾能力,適用于�(fù)雜環(huán)境中的電力電子設(shè)��
6. 更小的寄生參�(shù),�(jìn)一步減少高頻操作時的能量損��
1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器的高效率電源模��
2. 電動汽車車載充電器及逆變器控��
3. 工業(yè)自動化領(lǐng)域的緊湊型DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 通信基站中的射頻功率放大器�
5. 快速充電適配器以及其他便攜式設(shè)備的電源解決方案�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
GXT0805B221GYCT42G
GNA0906C115HXST53G