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GA0805A150JBABR31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/4 2:35:45 查看 閱讀:13

GA0805A150JBABR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高性能功率晶體管,采用先進的封裝工藝設計。該器件具有高開關速度、低導通電阻和高效率的特點,適用于高頻電源轉換應用,例如開關電源、DC-DC 轉換器和電機驅動等領域。
  該芯片通過優(yōu)化的 GaN 工藝技術,大幅提升了電力電子系統(tǒng)的性能,并降低了整體系統(tǒng)的能耗。

參數(shù)

額定電壓:650V
  額定電流:20A
  導通電阻:150mΩ
  柵極電荷:40nC
  最大工作溫度:175°C
  封裝類型:TO-247

特性

GA0805A150JBABR31G 的主要特性包括:
  1. 采用增強型氮化鎵場效應晶體管 (eGaN FET) 技術,具備卓越的高頻開關性能。
  2. 極低的導通電阻,顯著減少了傳導損耗,從而提高了系統(tǒng)效率。
  3. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
  4. 快速開關能力支持更高的工作頻率,從而減小了無源元件的體積和成本。
  5. 內置保護功能(如過流保護和短路保護),增強了器件的可靠性。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。

應用

GA0805A150JBABR31G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 轉換器。
  2. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊。
  3. 電動汽車 (EV) 充電樁及車載充電器。
  4. 數(shù)據(jù)中心服務器電源和通信電源。
  5. 工業(yè)電機驅動和控制電路。
  6. 高效諧振變換器設計,如 LLC 或 CLLC 拓撲結構。

替代型號

GA0805A100JBABR31G
  GA0805A200JBABR31G

ga0805a150jbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產品狀態(tài)停產
  • 電容15 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-