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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805A151FBABR31G

GA0805A151FBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 11:14:47 查看 閱讀�14

GA0805A151FBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),適用于多種高效率電源轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)�(yīng)用。該芯片具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和良好的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率并減少能量損耗�
  此器件屬于溝槽型 MOSFET 系列,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(shè)備等�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):GA0805A151FBABR31G
  �(lèi)型:N-Channel Power MOSFET
  工作電壓(Vdss)�80V
  最大電�(Id)�64A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�70nC
  功�(Ptot)�150W
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

GA0805A151FBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而降低了傳導(dǎo)損�,并提高了系�(tǒng)效率�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠支持高頻應(yīng)�,減少電磁干�(EMI)�
  3. 高雪崩擊穿能�,確保在異常條件下依然具備較高的可靠性�
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,有效防止靜電對(duì)芯片的損��
  5. 具有�(yōu)秀的熱性能,能夠持�(xù)�(wěn)定運(yùn)行在高溫�(huán)境中�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

這款 MOSFET 器件可以廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng),如家用電器中的�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制�
  3. 工業(yè)逆變器和變頻器設(shè)�(jì)�
  4. 電池管理與保�(hù)系統(tǒng),例如電�(dòng)�(chē)電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源解決方��
  6. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

IRFZ44N, STP80NF06L

ga0805a151fbabr31g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ga0805a151fbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-