GA0805A152FXABC31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片,主要用于高頻開關(guān)電源、快速充電器以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的封裝工藝和電路設(shè)計(jì),能夠顯著提高系統(tǒng)的功率密度并降低能量損耗。
其內(nèi)部集成了增強(qiáng)型 GaN FET 和驅(qū)動電路,支持高頻率操作,并具有良好的熱性能和可靠性。此外,該芯片還具備多重保護(hù)功能,包括過流保護(hù)、短路保護(hù)和過溫保護(hù),確保在各種工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
型號:GA0805A152FXABC31G
類型:GaN 功率轉(zhuǎn)換芯片
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:8A
RDS(on):150mΩ
柵極電荷:70nC
開關(guān)頻率:高達(dá) 5MHz
工作溫度范圍:-40°C 至 +125°C
封裝形式:QFN5x6
GA0805A152FXABC31G 具有以下主要特性:
1. 高效的 GaN 技術(shù),相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。
2. 支持高頻操作,適合小型化、輕量化設(shè)計(jì)需求。
3. 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制,確保器件在異常情況下的安全性。
4. 熱阻低,散熱性能優(yōu)異,能夠在高功率密度場景下長期可靠運(yùn)行。
5. 封裝緊湊,便于 PCB 布局和系統(tǒng)集成。
6. 適用于快充協(xié)議,滿足現(xiàn)代消費(fèi)電子對充電速度的要求。
這些特點(diǎn)使得 GA0805A152FXABC31G 成為高性能電源管理系統(tǒng)中的理想選擇。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
1. USB-PD 快速充電器
2. 開關(guān)電源 (SMPS)
3. 適配器和充電器
4. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
5. 工業(yè)電源模塊
6. 汽車電子設(shè)備
由于其卓越的效率和緊湊的設(shè)計(jì),GA0805A152FXABC31G 特別適合需要高功率密度和快速響應(yīng)的應(yīng)用場景。
GAN008-650R2G
GAN009-650WS
TPG65R076UH