GA0805A180FBABR31G是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,屬于U-MOS IX系列。該系列以其低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和卓越的性能而聞�。這款芯片通常用于各種高效能應(yīng)用中,例如電源管理、電�(jī)�(qū)動以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源�(zhuǎn)換等場景�
該芯片采用D-PAK(TO-252)封裝形�,具有良好的散熱特性和�(jī)械強(qiáng)度,適合表面貼裝工藝,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化和高性能的需求�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�41A
�(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):1.8mΩ
總功耗:17W
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝類型:D-PAK(TO-252�
GA0805A180FBABR31G的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(�1.8mΩ�,這顯著降低了功率損�,提升了整體效率。此�,它還具備出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高�(dá)175℃的工作溫度下保持性能。芯片的高電流承載能力(41A)使其適用于大功率應(yīng)用場��
此外,該芯片支持快速開�(guān)操作,具有較低的輸入電容和輸出電�,從而減少了開關(guān)損�,并且優(yōu)化了動態(tài)性能。這種�(shè)�(jì)特別適合需要高頻工作的電路,如DC-DC�(zhuǎn)換器和開�(guān)模式電源(SMPS��
同時(shí),由于采用了D-PAK封裝形式,GA0805A180FBABR31G不僅具備�(yōu)良的散熱性能,還方便在自動化生產(chǎn)線中�(jìn)行表面貼裝加�,從而提高了生產(chǎn)效率并降低了制造成��
該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,主要用途包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)或保�(hù)元件�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級元件�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器件;
5. 各種工業(yè)控制及汽車電子系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換與管理模塊�
憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,GA0805A180FBABR31G成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�
GA0805A180FBAR31G