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GA0805A180JBABR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/27 14:11:16 查看 閱讀:15

GA0805A180JBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高性能功率晶體管,采用增強型場效應晶體管(eGaN FET)設計。該器件適用于高頻開關應用,能夠顯著提高效率和功率密度。其主要特點包括低導通電阻、快速開關速度以及高可靠性。這種芯片通常用于電源管理領域,如 DC-DC 轉換器、無線充電設備和激光雷達系統(tǒng)等。

參數

型號:GA0805A180JBABR31G
  類型:增強型 GaN 功率晶體管
  最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:8A
  導通電阻:18mΩ
  柵極電荷:25nC
  開關頻率:高達 5MHz
  封裝形式:QFN

特性

GA0805A180JBABR31G 提供了卓越的性能表現,具體特性如下:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導損耗,從而提升整體效率。
  2. 高速開關能力,支持 MHz 級別的開關頻率,非常適合高頻應用。
  3. 內置保護功能,如過流保護和短路保護,提高了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
  4. 小型化封裝設計,節(jié)省電路板空間,便于實現緊湊型解決方案。
  5. 具備高熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內保持一致的性能。
  6. 與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,具有更高的功率密度和更低的能量損耗。

應用

該芯片廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉換器
  3. 無線充電模塊
  4. 激光雷達(LiDAR)驅動
  5. 電機驅動器
  6. 工業(yè)自動化設備中的高效功率轉換
  7. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器和整流器
  這些應用均得益于 GA0805A180JBABR31G 的高效率、小體積和強大的散熱性能。

替代型號

GA0805A150JBABR31G, GA0805A200JBABR31G

ga0805a180jbabr31g參數

  • 現有數量0現貨
  • 價格停產
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產品狀態(tài)停產
  • 電容18 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-