GA0805A180JBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高性能功率晶體管,采用增強型場效應晶體管(eGaN FET)設計。該器件適用于高頻開關應用,能夠顯著提高效率和功率密度。其主要特點包括低導通電阻、快速開關速度以及高可靠性。這種芯片通常用于電源管理領域,如 DC-DC 轉換器、無線充電設備和激光雷達系統(tǒng)等。
型號:GA0805A180JBABR31G
類型:增強型 GaN 功率晶體管
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:8A
導通電阻:18mΩ
柵極電荷:25nC
開關頻率:高達 5MHz
封裝形式:QFN
GA0805A180JBABR31G 提供了卓越的性能表現,具體特性如下:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導損耗,從而提升整體效率。
2. 高速開關能力,支持 MHz 級別的開關頻率,非常適合高頻應用。
3. 內置保護功能,如過流保護和短路保護,提高了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
4. 小型化封裝設計,節(jié)省電路板空間,便于實現緊湊型解決方案。
5. 具備高熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內保持一致的性能。
6. 與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,具有更高的功率密度和更低的能量損耗。
該芯片廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)
2. DC-DC 轉換器
3. 無線充電模塊
4. 激光雷達(LiDAR)驅動
5. 電機驅動器
6. 工業(yè)自動化設備中的高效功率轉換
7. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器和整流器
這些應用均得益于 GA0805A180JBABR31G 的高效率、小體積和強大的散熱性能。
GA0805A150JBABR31G, GA0805A200JBABR31G