GA0805A180JBEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET,屬� GaN(氮化鎵)技�(shù)系列。它采用先�(jìn)的增�(qiáng)� GaN 工藝制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于高頻、高效能的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件�(shè)�(jì)用于提高效率和減小電源系�(tǒng)尺寸,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)和汽車領(lǐng)��
類型:功� MOSFET
材料:GaN(氮化鎵�
最大漏源電壓(Vds):650V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):180A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
柵極電荷(Qg):95nC
反向恢復(fù)時間(trr):70ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805A180JBEBT31G 具有卓越的性能特點(diǎn),其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功�,提升整體效率�
GaN 技�(shù)使得該器件具備更快的開關(guān)速度,從而減少了開關(guān)損耗并支持更高的工作頻率�
由于其高耐壓能力�650V�,該芯片非常適合高壓�(yīng)用場景,例如 SMPS � DC-DC �(zhuǎn)換器�
此外,其封裝形式緊湊,有助于減少 PCB 占用面積,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化的需��
這款功率 MOSFET 還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度條件下保持性能�
GA0805A180JBEBT31G 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的電源模�
3. 電動車輛(EV)和混合動力汽車(HEV)的電機(jī)�(qū)動與車載充電�
4. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)
5. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
6. 快速充電器和其他消�(fèi)類電源適配器
其高效的開關(guān)特性和高耐壓能力使其成為多種高要求應(yīng)用的理想選擇�
GAN063-650WSA
GS66508T
MPX01650180E
TP65H180G4L