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GA0805A182JBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/4 19:41:19 查看 閱讀:10

GA0805A182JBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和射頻放大器等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的增強(qiáng)型 GaN 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高效率的特點(diǎn),能夠顯著提升電力電子系統(tǒng)的性能。
  與傳統(tǒng)的硅基 MOSFET 相比,GA0805A182JBABR31G 提供了更低的開關(guān)損耗和更高的工作頻率,非常適合需要緊湊設(shè)計(jì)和高性能表現(xiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域。

參數(shù)

型號(hào):GA0805A182JBABR31G
  類型:GaN 功率晶體管
  漏源電壓(Vds):100V
  連續(xù)漏極電流(Id):8A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):18mΩ
  柵極電荷(Qg):6nC
  反向傳輸電容(Crss):49pF
  封裝形式:TO-252(DPAK)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0805A182JBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 為 18mΩ,可有效降低傳導(dǎo)損耗。
  2. 高速開關(guān)能力,支持高達(dá)數(shù) MHz 的開關(guān)頻率,適用于高頻應(yīng)用。
  3. 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,增強(qiáng)了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
  4. 具備優(yōu)異的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 小型化封裝設(shè)計(jì),便于系統(tǒng)集成。
  6. 支持寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),提供更高的功率密度和效率。
  7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。

應(yīng)用

該芯片適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及 PFC(功率因數(shù)校正)電路。
  3. 射頻功率放大器和無線能量傳輸設(shè)備。
  4. 電動(dòng)汽車充電樁和車載充電器。
  5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器控制。
  6. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的快充適配器和高效電源模塊。
  其高頻特性和高效率使其成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

替代型號(hào)

GAN061-650WSA
  GAN1101-200E
  IRGB4064DPBF

ga0805a182jbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-