GA0805A182JBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和射頻放大器等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的增強(qiáng)型 GaN 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高效率的特點(diǎn),能夠顯著提升電力電子系統(tǒng)的性能。
與傳統(tǒng)的硅基 MOSFET 相比,GA0805A182JBABR31G 提供了更低的開關(guān)損耗和更高的工作頻率,非常適合需要緊湊設(shè)計(jì)和高性能表現(xiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域。
型號(hào):GA0805A182JBABR31G
類型:GaN 功率晶體管
漏源電壓(Vds):100V
連續(xù)漏極電流(Id):8A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):18mΩ
柵極電荷(Qg):6nC
反向傳輸電容(Crss):49pF
封裝形式:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA0805A182JBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 為 18mΩ,可有效降低傳導(dǎo)損耗。
2. 高速開關(guān)能力,支持高達(dá)數(shù) MHz 的開關(guān)頻率,適用于高頻應(yīng)用。
3. 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,增強(qiáng)了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
4. 具備優(yōu)異的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì),便于系統(tǒng)集成。
6. 支持寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),提供更高的功率密度和效率。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)需求。
該芯片適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器及 PFC(功率因數(shù)校正)電路。
3. 射頻功率放大器和無線能量傳輸設(shè)備。
4. 電動(dòng)汽車充電樁和車載充電器。
5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器控制。
6. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的快充適配器和高效電源模塊。
其高頻特性和高效率使其成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)的理想選擇。
GAN061-650WSA
GAN1101-200E
IRGB4064DPBF