GA0805A1R8CBCBT31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高性能功率電子元件,專為高頻和高效率應用場景設(shè)計。它采用先進的封裝工藝,具有低導通電阻、快速開關(guān)特性和高耐壓能力。該型號廣泛應用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備及其它需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場景。
這種芯片的主要特點是利用了氮化鎵材料的卓越電氣性能,能夠顯著提升系統(tǒng)的功率密度并降低能量損耗。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:8A
導通電阻:120mΩ
柵極電荷:45nC
反向恢復時間:40ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA0805A1R8CBCBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,減少了傳導損耗,提升了整體效率。
2. 快速開關(guān)速度,支持高頻操作,適用于高頻應用環(huán)境。
3. 高擊穿電壓確保了在高壓條件下的可靠運行。
4. 小巧的封裝尺寸使得其非常適合空間受限的設(shè)計。
5. 支持高溫工作環(huán)境,具備優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和可靠性。
6. 內(nèi)置保護機制,如過溫保護和短路保護,提高了系統(tǒng)安全性。
該芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電動汽車 (EV) 充電器和相關(guān)電源管理系統(tǒng)。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高效功率模塊。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
5. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源單元 (PSU)。
6. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方案。
7. 無線電力傳輸和能量收集裝置。
GA0805A1R8CCBBT29G, GA0805A1R8CCBBT30G