GA0805A1R8CBCBT31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率電子元件,專為高頻和高效率應用場景設(shè)�。它采用先進的封裝工藝,具有低導通電�、快速開�(guān)特性和高耐壓能力。該型號廣泛應用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備及其它需要高效能功率�(zhuǎn)換的場景�
這種芯片的主要特點是利用了氮化鎵材料的卓越電氣性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的功率密度并降低能量損��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:120mΩ
柵極電荷�45nC
反向恢復時間�40ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GA0805A1R8CBCBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,減少了傳導損�,提升了整體效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操作,適用于高頻應用環(huán)��
3. 高擊穿電壓確保了在高壓條件下的可靠運��
4. 小巧的封裝尺寸使得其非常適合空間受限的設(shè)��
5. 支持高溫工作�(huán)�,具備優(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠性�
6. �(nèi)置保護機制,如過溫保護和短路保護,提高了系統(tǒng)安全性�
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動汽車 (EV) 充電器和相關(guān)電源管理系統(tǒng)�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高效功率模��
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源單� (PSU)�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方��
7. 無線電力傳輸和能量收集裝��
GA0805A1R8CCBBT29G, GA0805A1R8CCBBT30G