GA0805A1R8CXCBC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,屬于增�(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝制�,具有高開關(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特�,廣泛應(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和無(wú)線充電等�(lǐng)��
相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,這款 GaN 器件能夠提供更高的工作效率和更小的體積設(shè)�(jì),適合對(duì)效率和空間要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA0805A1R8CXCBC31G
類型:增�(qiáng)� HEMT
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵極源極電壓(Vgs):±8 V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):120 mΩ(典型值,� Vgs=6V �(shí)�
連續(xù)漏極電流(Id):8 A
輸入電容(Ciss):1240 pF(典型值)
輸出電容(Coss):70 pF(典型值)
開關(guān)頻率:高�(dá) 5 MHz
封裝形式:DFN8
GA0805A1R8CXCBC31G 具備以下主要特性:
1. 高效率:得益� GaN 技�(shù)的低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠顯著減少傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損��
2. 高開�(guān)速度:支持高�(dá) 5 MHz 的工作頻�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
3. 緊湊�(shè)�(jì):其 DFN8 封裝小巧,有助于減少整體解決方案的尺��
4. �(qiáng)魯棒性:具備短路保護(hù)能力,并能承受高 dv/dt 和高浪涌電流�
5. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平�(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�(guò)��
6. 低寄生效�(yīng):由于采� GaN 技�(shù),減少了寄生電感和電容的影響,從而提升了系統(tǒng)�(wěn)定性�
這些特性使該器件非常適合需要高性能和高效率的電力電子設(shè)�,如快充適配�、服�(wù)器電�、電�(dòng)工具和新能源汽車中的 DC-DC �(zhuǎn)換器��
GA0805A1R8CXCBC31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 快速充電器:在 USB-PD 充電器中,可�(shí)�(xiàn)高效的小型化�(shè)�(jì)�
2. 服務(wù)器電源:用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)�,提升整體電源轉(zhuǎn)換效率�
3. �(wú)線充電:適用于高功率�(wú)線充電模�,提高能量傳輸效率�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)提供高效驅(qū)�(dòng)方案�
5. 新能源汽車:用于車載充電器(OBC)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及逆變器等�(guān)鍵部��
6. 工業(yè)自動(dòng)化:包括工業(yè)電源、逆變器和不間斷電源(UPS)等�(shè)��
總之,任何需要高效率、高頻操作或緊湊�(shè)�(jì)的應(yīng)用都可以考慮使用此款 GaN 功率晶體��
GA0805A1R8CXCBX31G
GAN065R018DY
PSMN0R9-60BLE