GA0805A221FBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
該芯片屬于溝道增�(qiáng)型MOSFET系列,廣泛適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及汽車電子�(lǐng)域�
型號(hào):GA0805A221FBEBR31G
類型:N溝道功率MOSFET
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.2mΩ
ID(持�(xù)電流):110A
Qg(柵極電荷)�47nC
fT(截止頻率)�2.2MHz
VGS(柵源電壓):�20V
封裝形式:TO-247
GA0805A221FBEBR31G具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提升效率�
2. 高擊穿電壓(VDS),確保在高壓環(huán)境下可靠�(yùn)��
3. 較小的柵極電荷(Qg�,使開關(guān)速度更快,適合高頻應(yīng)��
4. 良好的熱性能,可承受較高的功率密��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
6. 可靠性高,適�(yīng)惡劣工作�(huán)�,如高溫或潮濕條��
這些特點(diǎn)使得該器件成為高效能功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇�
GA0805A221FBEBR31G廣泛�(yīng)用于多種�(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),用于降壓或升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí),支持大電流�(fù)載�
4. 汽車電子系統(tǒng)的逆變器和控制��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模��
6. 其他需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
GA0805A221FBEBR21G, IRFP2907ZPBF