GA0805A221FBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能。
該芯片屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,廣泛適用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及汽車電子領(lǐng)域。
型號(hào):GA0805A221FBEBR31G
類型:N溝道功率MOSFET
VDS(漏源電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻):2.2mΩ
ID(持續(xù)電流):110A
Qg(柵極電荷):47nC
fT(截止頻率):2.2MHz
VGS(柵源電壓):±20V
封裝形式:TO-247
GA0805A221FBEBR31G具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗,提升效率。
2. 高擊穿電壓(VDS),確保在高壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
3. 較小的柵極電荷(Qg),使開關(guān)速度更快,適合高頻應(yīng)用。
4. 良好的熱性能,可承受較高的功率密度。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
6. 可靠性高,適應(yīng)惡劣工作環(huán)境,如高溫或潮濕條件。
這些特點(diǎn)使得該器件成為高效能功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇。
GA0805A221FBEBR31G廣泛應(yīng)用于多種場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),用于降壓或升壓電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí),支持大電流負(fù)載。
4. 汽車電子系統(tǒng)的逆變器和控制器。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模塊。
6. 其他需要高效功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)合。
GA0805A221FBEBR21G, IRFP2907ZPBF