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GA0805A221FBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/24 18:46:04 查看 閱讀:15

GA0805A221FBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能。
  該芯片屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,廣泛適用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及汽車電子領(lǐng)域。

參數(shù)

型號(hào):GA0805A221FBEBR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  VDS(漏源電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):2.2mΩ
  ID(持續(xù)電流):110A
  Qg(柵極電荷):47nC
  fT(截止頻率):2.2MHz
  VGS(柵源電壓):±20V
  封裝形式:TO-247

特性

GA0805A221FBEBR31G具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗,提升效率。
  2. 高擊穿電壓(VDS),確保在高壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
  3. 較小的柵極電荷(Qg),使開關(guān)速度更快,適合高頻應(yīng)用。
  4. 良好的熱性能,可承受較高的功率密度。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
  6. 可靠性高,適應(yīng)惡劣工作環(huán)境,如高溫或潮濕條件。
  這些特點(diǎn)使得該器件成為高效能功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇。

應(yīng)用

GA0805A221FBEBR31G廣泛應(yīng)用于多種場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān),用于降壓或升壓電路。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí),支持大電流負(fù)載。
  4. 汽車電子系統(tǒng)的逆變器和控制器。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模塊。
  6. 其他需要高效功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)合。

替代型號(hào)

GA0805A221FBEBR21G, IRFP2907ZPBF

ga0805a221fbebr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-