GA0805A221JBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率控制的電子設(shè)備中�
該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。此�,其堅固的設(shè)計使其能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運行�
型號:GA0805A221JBABT31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電�(Vds)�60V
柵極閾值電�(Vgs(th))�2V~4V
最大漏極電�(Id)�75A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
總功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍�-55℃~175�
封裝形式:TO-247
GA0805A221JBABT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然能夠保持良好的性能�
4. 高雪崩能量承受能�,增強了器件的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. �(nèi)置ESD保護功能,提高了器件的抗靜電能力�
這些特點使得該器件在各種電力電子�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
GA0805A221JBABT31G適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)�
5. 各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模��
6. 電動汽車及混合動力汽車的動力系統(tǒng)�
由于其強大的性能和廣泛的適用性,這款芯片成為眾多工程師設(shè)計選擇的理想解決方案�
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP75N6S
IXYS40N60P2
SUP75P06TN