GA0805A270FBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�。該芯片主要�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場�。其�(shè)�(jì)注重高效率和低功�,能夠承受較高的電壓和電�,并具備出色的熱性能�
這款器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適合在高頻條件下工作。此�,它還具備強(qiáng)大的抗靜電能力(ESD 保護(hù)�,從而提高了�(chǎn)品的可靠��
型號(hào):GA0805A270FBEBR31G
類型:N溝道功率MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源極擊穿電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�2.7mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):50A
Qg(柵極電荷)�24nC
f(最大工作頻率)�1MHz
Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2V~4V
BVDSS(漏源極耐壓):60V
Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃~175�
GA0805A270FBEBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用,減少開關(guān)損耗�
3. 高電流承載能力(高達(dá) 50A�,滿足大功率�(yīng)用場景的需��
4. 先�(jìn)的封裝技�(shù),提供良好的散熱性能�
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升器件的可靠性和耐用性�
6. 寬廣的工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
GA0805A270FBEBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)��
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
4. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)控制�
6. 電動(dòng)車及電池管理系統(tǒng)(BMS��
7. LED �(qū)�(dòng)器和其他高效能電力電子裝��
IRF540N, AO3400A, FDP5500