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GA0805A270KBEBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 22:56:35 查看 閱讀�22

GA0805A270KBEBT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率器�,屬于增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�。該器件適用于高頻和高效率的�(yīng)用場�,例如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及通信系統(tǒng)中的功率放大�。相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,它具有更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)速度和更小的封裝尺寸,從而能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
  這款芯片采用表面貼裝封裝,具備出色的散熱性能,適合在緊湊型設(shè)�(jì)中使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�27A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ
  柵極電荷�90nC
  開關(guān)頻率:超�2MHz
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

GA0805A270KBEBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:確保了高效的功率�(zhuǎn)換和較低的熱損��
  2. 高開�(guān)頻率:支持高頻應(yīng)用,減少了磁性元件的體積和重��
  3. 快速開�(guān)能力:降低了開關(guān)損耗并提高了系�(tǒng)的動�(tài)響應(yīng)能力�
  4. 緊湊型封裝:節(jié)約PCB空間,簡化布局�(shè)�(jì)�
  5. 良好的熱性能:即使在高負(fù)載條件下也能保持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)�
  6. 寬禁帶半�(dǎo)體材料:氮化鎵技�(shù)提供了更高的擊穿電壓和更低的寄生電容,使其成為下一代功率電子的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于工業(yè)和消�(fèi)類產(chǎn)品的高效電源解決方案�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:為汽車電子、服�(wù)器和電信�(shè)備提供高效率的能量傳輸�
  3. 電機(jī)�(qū)動:�(shí)�(xiàn)快速啟�、停止和精確的速度控制�
  4. 無線充電:支持大功率無線充電�(yīng)�,提高充電效率�
  5. 光伏逆變器:�(yōu)化太陽能�(fā)電系�(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效��
  6. 電動汽車(EV)充電樁:滿足電動車對快速充電的需��

替代型號

GAP0805A270KBE、GAN0805A270KBE

ga0805a270kbebt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容27 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-