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GA0805A271GBEBR31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/4 2:36:20 查看 閱讀:9

GA0805A271GBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
  這款芯片廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域,是現(xiàn)代高效能電子產(chǎn)品中的關(guān)鍵組件。

參數(shù)

型號:GA0805A271GBEBR31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大漏極電流(Id):12A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
  總功耗(Ptot):43W
  工作溫度范圍:-55°C至+175°C
  封裝形式:TO-220

特性

GA0805A271GBEBR31G具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了較低的傳導(dǎo)損耗,從而提高了整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度減少了開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。
  3. 高雪崩能量能力增強了器件的魯棒性,使其能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下可靠運行。
  4. 良好的熱性能有助于散熱管理,延長器件壽命。
  5. 寬泛的工作溫度范圍使該器件適用于各種惡劣環(huán)境條件下的應(yīng)用。

應(yīng)用

GA0805A271GBEBR31G可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為功率開關(guān)使用。
  2. 各類電機驅(qū)動應(yīng)用,包括步進(jìn)電機、直流無刷電機等。
  3. 電池保護電路和負(fù)載切換電路。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載控制和電源管理模塊。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單元。

替代型號

GA0805A271GBEBR31H, GA0805A271GBEBR31K

ga0805a271gbebr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容270 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-