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GA0805A2R2BBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 13:10:40 查看 閱讀�15

GA0805A2R2BBABR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件專為高頻、高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)�(jì),能夠提供出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�。其主要�(yīng)用于電源管理、通信�(shè)�、工�(yè)逆變器以及數(shù)�(jù)中心供電等領(lǐng)��
  該型�(hào)采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),確保了�(yōu)秀的散熱性能和電氣穩(wěn)定性。此�,GaN 技�(shù)的引入使其在高頻操作下仍能保持較低的損耗,非常適合�(duì)效率和體積有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

額定電壓�650V
  �(dǎo)通電阻:25mΩ
  連續(xù)漏極電流�7.5A
  柵極電荷�40nC
  輸入電容�1200pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:�
  工作溫度范圍�-55� to +150�

特�

GA0805A2R2BBABR31G 的主要特性包括:
  1. 基于 GaN 技�(shù),具備超低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,從而顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損��
  2. 高擊穿電壓能力,確保在高電壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
  3. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫保護(hù)和短路保�(hù),提升了整體系統(tǒng)的安全性�
  4. 小型化封�,有效節(jié)� PCB 空間�
  5. 支持高達(dá)�(shù)兆赫茲的開關(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需��
  6. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 充電器和適配�,尤其是快充�(chǎn)��
  3. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
  5. 無線充電�(shè)備�
  6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率放大器和射頻前端電��
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC/DC 變換器和車載充電器�

替代型號(hào)

GA0805A2R2BBAR31G, GA0805A2R2BBAHR31G

ga0805a2r2bbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容2.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-