GA0805A2R2BBABR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件專為高頻、高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì),能夠提供出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性。其主要應(yīng)用于電源管理、通信設(shè)備、工業(yè)逆變器以及數(shù)據(jù)中心供電等領(lǐng)域。
該型號(hào)采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),確保了優(yōu)秀的散熱性能和電氣穩(wěn)定性。此外,GaN 技術(shù)的引入使其在高頻操作下仍能保持較低的損耗,非常適合對(duì)效率和體積有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
額定電壓:650V
導(dǎo)通電阻:25mΩ
連續(xù)漏極電流:7.5A
柵極電荷:40nC
輸入電容:1200pF
反向恢復(fù)時(shí)間:無
工作溫度范圍:-55℃ to +150℃
GA0805A2R2BBABR31G 的主要特性包括:
1. 基于 GaN 技術(shù),具備超低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度,從而顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
2. 高擊穿電壓能力,確保在高電壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
3. 內(nèi)置保護(hù)功能,如過溫保護(hù)和短路保護(hù),提升了整體系統(tǒng)的安全性。
4. 小型化封裝,有效節(jié)省 PCB 空間。
5. 支持高達(dá)數(shù)兆赫茲的開關(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需求。
6. 出色的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 充電器和適配器,尤其是快充產(chǎn)品。
3. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源模塊。
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器。
5. 無線充電設(shè)備。
6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的功率放大器和射頻前端電路。
7. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC/DC 變換器和車載充電器。
GA0805A2R2BBAR31G, GA0805A2R2BBAHR31G