GA0805A2R2BBABR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件專為高頻、高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)�(jì),能夠提供出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�。其主要�(yīng)用于電源管理、通信�(shè)�、工�(yè)逆變器以及數(shù)�(jù)中心供電等領(lǐng)��
該型�(hào)采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),確保了�(yōu)秀的散熱性能和電氣穩(wěn)定性。此�,GaN 技�(shù)的引入使其在高頻操作下仍能保持較低的損耗,非常適合�(duì)效率和體積有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)��
額定電壓�650V
�(dǎo)通電阻:25mΩ
連續(xù)漏極電流�7.5A
柵極電荷�40nC
輸入電容�1200pF
反向恢復(fù)�(shí)間:�
工作溫度范圍�-55� to +150�
GA0805A2R2BBABR31G 的主要特性包括:
1. 基于 GaN 技�(shù),具備超低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,從而顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損��
2. 高擊穿電壓能力,確保在高電壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
3. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫保護(hù)和短路保�(hù),提升了整體系統(tǒng)的安全性�
4. 小型化封�,有效節(jié)� PCB 空間�
5. 支持高達(dá)�(shù)兆赫茲的開關(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需��
6. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 充電器和適配�,尤其是快充�(chǎn)��
3. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模��
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
5. 無線充電�(shè)備�
6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率放大器和射頻前端電��
7. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC/DC 變換器和車載充電器�
GA0805A2R2BBAR31G, GA0805A2R2BBAHR31G