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GA0805A2R2BBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/24 13:10:40 查看 閱讀:15

GA0805A2R2BBABR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件專為高頻、高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì),能夠提供出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性。其主要應(yīng)用于電源管理、通信設(shè)備、工業(yè)逆變器以及數(shù)據(jù)中心供電等領(lǐng)域。
  該型號(hào)采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),確保了優(yōu)秀的散熱性能和電氣穩(wěn)定性。此外,GaN 技術(shù)的引入使其在高頻操作下仍能保持較低的損耗,非常適合對(duì)效率和體積有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

額定電壓:650V
  導(dǎo)通電阻:25mΩ
  連續(xù)漏極電流:7.5A
  柵極電荷:40nC
  輸入電容:1200pF
  反向恢復(fù)時(shí)間:無
  工作溫度范圍:-55℃ to +150℃

特性

GA0805A2R2BBABR31G 的主要特性包括:
  1. 基于 GaN 技術(shù),具備超低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度,從而顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
  2. 高擊穿電壓能力,確保在高電壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
  3. 內(nèi)置保護(hù)功能,如過溫保護(hù)和短路保護(hù),提升了整體系統(tǒng)的安全性。
  4. 小型化封裝,有效節(jié)省 PCB 空間。
  5. 支持高達(dá)數(shù)兆赫茲的開關(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需求。
  6. 出色的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 充電器和適配器,尤其是快充產(chǎn)品。
  3. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源模塊。
  4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器。
  5. 無線充電設(shè)備。
  6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的功率放大器和射頻前端電路。
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC/DC 變換器和車載充電器。

替代型號(hào)

GA0805A2R2BBAR31G, GA0805A2R2BBAHR31G

ga0805a2r2bbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容2.2 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-