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時(shí)間：2025/5/24 13:10:40
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GA0805A2R2BBABR31G 是一種基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT）。該器件專為高頻、高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，能夠提供出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性。其主要應(yīng)用于電源管理、通信設(shè)備、工業(yè)逆變器以及數(shù)據(jù)中心供電等領(lǐng)域。
該型號(hào)采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，確保了優(yōu)秀的散熱性能和電氣穩(wěn)定性。此外，GaN 技術(shù)的引入使其在高頻操作下仍能保持較低的損耗，非常適合對(duì)效率和體積有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
額定電壓：650V
導(dǎo)通電阻：25mΩ
連續(xù)漏極電流：7.5A
柵極電荷：40nC
輸入電容：1200pF
反向恢復(fù)時(shí)間：無
工作溫度范圍：-55℃ to +150℃
GA0805A2R2BBABR31G 的主要特性包括：
1. 基于 GaN 技術(shù)，具備超低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，從而顯著降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
2. 高擊穿電壓能力，確保在高電壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。
3. 內(nèi)置保護(hù)功能，如過溫保護(hù)和短路保護(hù)，提升了整體系統(tǒng)的安全性。
4. 小型化封裝，有效節(jié)省 PCB 空間。
5. 支持高達(dá)數(shù)兆赫茲的開關(guān)頻率，滿足高頻應(yīng)用需求。
6. 出色的熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS），如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 充電器和適配器，尤其是快充產(chǎn)品。
3. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源模塊。
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器。
5. 無線充電設(shè)備。
6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的功率放大器和射頻前端電路。
7. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC/DC 變換器和車載充電器。
GA0805A2R2BBAR31G, GA0805A2R2BBAHR31G
