時間：2025/5/10 16:57:16
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GA0805A390FBABR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體管，專為高頻、高效率應用設計。該器件采用增強型 GaN HEMT 結構，具有低導通電阻和快速開關速度的特點，非常適合用于電源管理、DC-DC 轉換器、無線充電器以及其他高性能電力電子設備。
由于其出色的性能，GA0805A390FBABR31G 在減少能量損耗和提高系統(tǒng)效率方面表現(xiàn)優(yōu)異，同時支持更高的工作頻率，從而可以縮小無源元件的尺寸并降低整體系統(tǒng)的成本與體積。
型號：GA0805A390FBABR31G
類型：增強型 GaN 功率晶體管
工作電壓：650V
連續(xù)漏極電流：8A
導通電阻：39mΩ（典型值）
柵極電荷：75nC（最大值）
反向恢復電荷：無（由于 GaN 的結構特性）
工作溫度范圍：-40℃ 至 +125℃
封裝形式：TO-247-3
1. 高擊穿電壓：高達 650V 的耐壓能力確保了 GA0805A390FBABR31G 可以在高壓環(huán)境中穩(wěn)定運行。
2. 極低的導通電阻：僅為 39mΩ 的典型導通電阻使得傳導損耗顯著降低，提高了整體效率。
3. 快速開關速度：得益于 GaN 技術的固有優(yōu)勢，該器件擁有極短的開關時間和低柵極電荷，適用于高頻應用。
4. 零反向恢復電荷：由于 GaN 的獨特物理特性，該器件不存在傳統(tǒng) Si MOSFET 中的反向恢復問題，進一步提升了效率。
5. 熱穩(wěn)定性強：能夠在 -40℃ 至 +125℃ 的寬溫范圍內正常工作，適合各種惡劣環(huán)境下的應用。
6. 小型化設計：通過使用更少的無源元件，幫助設計者減小整體系統(tǒng)尺寸。
1. 開關電源（SMPS）：
適用于高效率 AC-DC 和 DC-DC 轉換器，特別是在需要高頻工作的場景中。
2. 圖形卡供電：
為高性能 GPU 提供高效且緊湊的電源解決方案。
3. 數(shù)據中心電源：
用于數(shù)據中心服務器的高效電源轉換，提升能源利用率。
4. 無線充電：
支持更高功率的無線充電設備，實現(xiàn)快速充電功能。
5. 工業(yè)電機驅動：
用于工業(yè)控制中的高效逆變器和變頻器設計。
6. 汽車電子：
應用于電動汽車車載充電器（OBC）以及 DC-DC 轉換器，滿足汽車級可靠性要求。
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
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