GA0805A390FBABR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效功率晶體�,專為高�、高效率應用設計。該器件采用增強� GaN HEMT 結構,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,非常適合用于電源管�、DC-DC 轉換器、無線充電器以及其他高性能電力電子設備�
由于其出色的性能,GA0805A390FBABR31G 在減少能量損耗和提高系統(tǒng)效率方面表現(xiàn)�(yōu)�,同時支持更高的工作頻率,從而可以縮小無源元件的尺寸并降低整體系�(tǒng)的成本與體積�
型號:GA0805A390FBABR31G
類型:增強型 GaN 功率晶體�
工作電壓�650V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:39mΩ(典型值)
柵極電荷�75nC(最大值)
反向恢復電荷:無(由� GaN 的結構特性)
工作溫度范圍�-40� � +125�
封裝形式:TO-247-3
1. 高擊穿電壓:高達 650V 的耐壓能力確保� GA0805A390FBABR31G 可以在高壓環(huán)境中�(wěn)定運行�
2. 極低的導通電阻:僅為 39mΩ 的典型導通電阻使得傳導損耗顯著降�,提高了整體效率�
3. 快速開關速度:得益于 GaN 技術的固有�(yōu)�,該器件擁有極短的開關時間和低柵極電�,適用于高頻應用�
4. 零反向恢復電荷:由于 GaN 的獨特物理特�,該器件不存在傳�(tǒng) Si MOSFET 中的反向恢復問題,進一步提升了效率�
5. 熱穩(wěn)定性強:能夠在 -40� � +125� 的寬溫范圍內正常工作,適合各種惡劣環(huán)境下的應��
6. 小型化設計:通過使用更少的無源元件,幫助設計者減小整體系�(tǒng)尺寸�
1. 開關電源(SMPS):
適用于高效率 AC-DC � DC-DC 轉換�,特別是在需要高頻工作的場景��
2. 圖形卡供電:
為高性能 GPU 提供高效且緊湊的電源解決方案�
3. �(shù)據中心電源:
用于�(shù)據中心服務器的高效電源轉�,提升能源利用率�
4. 無線充電�
支持更高功率的無線充電設�,實�(xiàn)快速充電功��
5. 工業(yè)電機驅動�
用于工業(yè)控制中的高效逆變器和變頻器設��
6. 汽車電子�
應用于電動汽車車載充電器(OBC)以� DC-DC 轉換�,滿足汽車級可靠性要��
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
GAN065-650WSA