GA0805A560GBABT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率晶體管,主要用于高頻和高效率的電力�(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先進的封裝技�(shù),能夠提供出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電�。它適用于電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及各種工�(yè)和消費類電子�(shè)備中的高效能需求場��
這款芯片以其快速的開關(guān)速度和較低的電磁干擾特性而著稱,同時在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性也非常出色。由于其高效率和緊湊尺寸的特�,使其成為替代傳�(tǒng)硅基 MOSFET 的理想選擇�
型號:GA0805A560GBABT31G
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650V
額定電流�80A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�20nC
反向恢復(fù)時間:≤10ns
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-247
GA0805A560GBABT31G 具備卓越的高頻性能,能夠顯著降低開�(guān)損�,從而提升系�(tǒng)的整體效率。其�(nèi)部集成了保護電路,可有效防止過流和短路情況的�(fā)�。此外,該器件還具備以下特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損��
2. 高速開�(guān)能力,支持高� 2MHz 的工作頻��
3. 熱性能�(yōu)�,在高負載條件下也能保持�(wěn)定運��
4. 小型化設(shè)�,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
5. 高可靠性,滿足�(yán)苛的工作�(huán)境要��
GA0805A560GBABT31G 廣泛�(yīng)用于各類需要高效率和高性能的電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場景�
1. �(shù)�(jù)中心及通信基站的電源模��
2. 太陽能逆變器與�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)�
3. 電動汽車充電�(shè)施(如快充樁��
4. 工業(yè)級電機驅(qū)動和伺服控制��
5. 消費電子�(chǎn)品中的適配器和充電器�
6. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他電力�(zhuǎn)換設(shè)��
GA0805A560GBABT32G
GA0805A560GBABT33G