GA0805A560GBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能等特點(diǎn)。
該器件屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,適用于需要快速開(kāi)關(guān)和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器和負(fù)載開(kāi)關(guān)等。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過(guò)優(yōu)化,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:24A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:48nC
開(kāi)關(guān)速度:超快
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
封裝形式:TO-220
GA0805A560GBEBR31G 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 強(qiáng)大的浪涌電流能力,增強(qiáng)了器件的可靠性。
4. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和散熱性能,能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于多種工業(yè)領(lǐng)域。
6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,提高了產(chǎn)品的抗靜電能力。
該芯片廣泛用于各種電力電子設(shè)備中,典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,特別是無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 控制。
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于充放電控制。
4. 電動(dòng)工具和家用電器中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
IRFZ44N
STP24NF06
FDP18N06L