GA0805A560GXEBP31G 是一款由 Geehy(杰高半導(dǎo)體)推出的汽車級(jí) MOSFET 芯片。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于車載電子系統(tǒng)中的高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。
這款 MOSFET 主要用于汽車環(huán)境下的負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池管理等場(chǎng)景。其封裝形式為 DPAK (TO-252),能夠提供較高的電流承載能力和良好的散熱表現(xiàn)。
型號(hào):GA0805A560GXEBP31G
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VDS(漏源電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ(典型值,在 VGS=10V 條件下)
ID(持續(xù)漏極電流):56A
Qg(柵極電荷):38nC
VGS(th)(柵極閾值電壓):2.5V 至 4.5V
fT(截止頻率):2.1MHz
結(jié)溫范圍:-55°C 至 +175°C
封裝:DPAK (TO-252)
GA0805A560GXEBP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流處理能力(ID=56A),滿足大功率應(yīng)用需求。
3. 具備快速開關(guān)速度,適合高頻工作場(chǎng)景。
4. 優(yōu)秀的熱性能設(shè)計(jì),確保在極端溫度條件下的可靠性。
5. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),專為汽車級(jí)應(yīng)用優(yōu)化。
6. 提供卓越的靜電防護(hù)(ESD)能力,增強(qiáng)產(chǎn)品耐用性。
7. 小型化封裝,節(jié)省電路板空間同時(shí)保持高性能。
8. 支持寬范圍的工作電壓和溫度區(qū)間,適應(yīng)多種復(fù)雜工況。
GA0805A560GXEBP31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器。
2. 車載充電器及電池管理系統(tǒng)(BMS)。
3. 電動(dòng)車輛的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. LED 驅(qū)動(dòng)器和照明模塊。
6. 工業(yè)電源和適配器。
7. 任何需要低損耗、高可靠性的功率開關(guān)場(chǎng)合。
GA0805A560GXEHP31G
IRFB4110TRPBF
STP55NF06L
FDP5550
AON7204