GA0805A561JXCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)� GaN 技�(shù),提供卓越的開關(guān)速度和低�(dǎo)通電阻特�,從而優(yōu)化了系統(tǒng)能效并減少了散熱需求�
這款晶體管通常用于電源�(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
型號:GA0805A561JXCBR31G
類型:增�(qiáng)型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):40 mΩ(典型值,@Vgs=10V�
連續(xù)漏極電流(Id):8 A
柵極電荷(Qg):30 nC(典型值)
反向恢復(fù)電荷(Qrr):< 30 nC
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
1. 高開�(guān)頻率支持:得益于 GaN 材料的固有特�,該器件可實(shí)�(xiàn)高達(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用�
2. 低導(dǎo)通電阻:40 mΩ 的典型導(dǎo)通電阻顯著降低了�(dǎo)通損�,提升了整體效率�
3. 快速開�(guān)性能:較低的柵極電荷和反向恢�(fù)電荷確保了快速的開關(guān)切換,減少開�(guān)損耗�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -55°C � +175°C 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適用于極端�(huán)境下的應(yīng)��
5. 小尺寸封裝:TO-247-4L 封裝�(shè)�(jì)使得其具有良好的散熱性能,同�(shí)節(jié)省電路板空間�
6. 可靠性高:符� JEDEC �(biāo)�(zhǔn)的靜電防�(hù)�(shè)�(jì),提升了�(chǎn)品的抗靜電能��
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中,提高效率和功率密��
2. 充電器與適配器:特別是在快充�(lǐng)域,能夠支持高功率密度和快速充電功��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):在工業(yè)自動(dòng)化或家用電器中用作高效驅(qū)�(dòng)元件�
4. 無線充電:在無線充電�(fā)射端和接收端中使�,提升能量傳輸效率�
5. 太陽能逆變器:作為�(guān)鍵功率級組件,實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換�
6. �(shù)�(jù)中心供電模塊:滿足高性能�(jì)算和�(shù)�(jù)中心對高效率供電的需��
GAN060-650E
GXT080-650P
KPG65R040Q
GS665AD
TNG65D040KPA